| 摘要 |
<p>On peut faire croître des couches épitaxial de matériaux monocristallins de haute qualité recouvrant de grandes tranches de silicium en y faisant tout d'abord croître une couche réceptrice (104) disposée sue la tranche (102) de silicium. La couche tampon réceptrice (104) est faite d'un matériau monocristallin séparé de la tranche (102) de silicium par une couche interface (108). La couche interface amorphe dissipe les contraintes et permet de faire croître une couche tampon réceptrice monocristalline de haute qualité. Toute disparité entre la couche tampon réceptrice et le substrat sous-jacent de silicium est corrigée par la couche interface amorphe. Le recours à cette technique permet la fabrication de dispositifs pyroélectriques (150) sur un substrat de silicium monocristallin.</p> |
