Integrierter Speicher mit einer Anordnung von nicht-flüchtigen Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung und zum Betrieb des integrierten Speichers

摘要

Integrierter Speicher mit einer Anordnung von nichtflüchtigen Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung und zum Betrieb des integrierten Speichers. DOLLAR A Ein integrierter Speicher mit einer Anordnung vom nichtflüchtigen, auf ferromagnetischer Speicherung beruhender Speicherzellen umfaßt sowohl leistungsfähige Speicherzellen mit magnetoresistivem Effekt (1) mit Transistorsteuerung als auch kostengünstige Speicherzellen mit magnetoresistivem Effekt (2) mit zwischen den Wortleitungen (70) und Bitleitungen (50) geschalteten Speicherelementen (60). Die direkt zwischen Bit- und Wortleitung geschalteten Speicherelemente (60) werden vorzugsweise in übereinander stapelbaren Speicherzellenfeldern über den Speicherzellen (1) mit Transistor (9) eingesetzt und erreichen dadurch eine hohe Integrationsdichte. Durch die Herstellung des aus beiden Typen bestehenden und dadurch allen Systemanforderungen genügenden Speichers in einem Baustein und in einer Prozeßabfolge erniedrigen sich die Herstellungskosten erheblich.