| 发明名称 |
Process for the rapid thermal annealing of a semiconductor wafer using irradiation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0505928(B1) |
申请公布日期 |
2002.06.12 |
| 申请号 |
EP19920104811 |
申请日期 |
1992.03.19 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KAKOSCHKE, RONALD, DR. RER. NAT. |
| 分类号 |
H01L21/26;H01L21/00;H01L21/268;(IPC1-7):H01L21/268 |
主分类号 |
H01L21/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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