发明名称 一种硼化钇单晶的生长方法
摘要 本发明涉及一种单晶的熔盐籽晶提拉生长方法,包括原料合成,熔料,下籽晶及生长四个环节。以金属Y作助熔剂,采用定向籽晶,籽晶以1-10℃/h的速度降温生长,并配以1-25转/分的转速及1-20mm/h的提拉速度。用此方法可稳定地生长出YB<SUB>2</SUB>单晶。本方法生长YB<SUB>2</SUB>单晶和熔盐缓冷法比,可以获得大尺寸完整性较好的晶体;与区熔法比,因其从原料合成到生长整个工艺过程可一次完成,工艺设备简单,操作方便。
申请公布号 CN1353215A 申请公布日期 2002.06.12
申请号 CN00130361.9 申请日期 2000.11.02
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 宋有庭;吴星;倪代秦
分类号 C30B15/00;C30B29/10 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种硼化钇单晶的生长方法,包括在坩埚内将配制好的原料和助熔剂熔化,下籽晶,缓慢降温生长,其特征在于:使用金属钇作助熔剂。
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