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发明名称
一种硼化钇单晶的生长方法
摘要
本发明涉及一种单晶的熔盐籽晶提拉生长方法,包括原料合成,熔料,下籽晶及生长四个环节。以金属Y作助熔剂,采用定向籽晶,籽晶以1-10℃/h的速度降温生长,并配以1-25转/分的转速及1-20mm/h的提拉速度。用此方法可稳定地生长出YB<SUB>2</SUB>单晶。本方法生长YB<SUB>2</SUB>单晶和熔盐缓冷法比,可以获得大尺寸完整性较好的晶体;与区熔法比,因其从原料合成到生长整个工艺过程可一次完成,工艺设备简单,操作方便。
申请公布号
CN1353215A
申请公布日期
2002.06.12
申请号
CN00130361.9
申请日期
2000.11.02
申请人
中国科学院物理研究所
发明人
宋有庭;吴星;倪代秦
分类号
C30B15/00;C30B29/10
主分类号
C30B15/00
代理机构
代理人
主权项
1.一种硼化钇单晶的生长方法,包括在坩埚内将配制好的原料和助熔剂熔化,下籽晶,缓慢降温生长,其特征在于:使用金属钇作助熔剂。
地址
100080北京市603信箱
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