| 发明名称 | 有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 一种有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法,适用于一基底,此方法的步骤如下:首先在基底上形成有机硅类低介电常数材料层,再使用氧电浆处理该基底,以去除部分有机硅类低介电常数材料层中的碳元素;接着进行化学机械研磨步骤,以使经过氧电浆前处理的有机硅类低介电常数材料层平坦化,然后再使用氨气电浆处理基底,以修补受损的有机硅类低介电常数材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN1353452A | 申请公布日期 | 2002.06.12 |
| 申请号 | CN00132398.9 | 申请日期 | 2000.11.10 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张鼎张;刘柏村 |
| 分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种适用于基底的有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化方法，该方法包括下列步骤：在基底上形成有机硅类低介电常数材料层；使用氧电浆处理该基底，以去除部分该有机硅类低介电常数材料层中的碳元素；进行化学机械研磨步骤，以使经过该氧电浆处理后的该有机硅类低介电常数材料层平坦化；以及使用氨气电浆处理该基底，以修补该有机硅类低介电常数材料层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||