发明名称 | 氮化铟镓发光二极管 | ||
摘要 | 一种发光二极管,包括依次形成的蓝宝石基层、氮化镓长晶层、n型氮化镓缓冲层、p型氮化镓接触层、p型氮化铝镓束缚层、纯量子井氮化铟镓发光层、n型氮化铝镓束缚层、n型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层,然后将其中一部分蚀刻除去,露出部分n型氮化镓接触层,在露出部分上形成n型镍-金前电极,使前电极与透明导电层接触。将发光二极管适当蚀刻至p型氮化镓接触层,然后在p型氮化镓接触层上形成p型镍-金后电极。 | ||
申请公布号 | CN1353465A | 申请公布日期 | 2002.06.12 |
申请号 | CN00131996.5 | 申请日期 | 2000.11.03 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 刘家呈;许进恭;周铭俊;章绢明;李秉杰 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种发光二极管,包括:一绝缘基层;一p型接触层,形成在该绝缘基层上,其表面分为第一区域及第二区域;一p型束缚层,形成在该p型接触层的第一区域上;一发光层,形成在该p型束缚层上;一n型束缚层,形成在该发光层上;一n型接触层,形成在该n型束缚层上;一n型电极,形成在该n型接触层上;以及一p型电极,形成在该p型接触层的第二区域上。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |