发明名称 FERROELECTRIC MEMORY DEVICE BE CAPABLE OF MEASURING HYSTERESIS CHARACTERISTIC OF FERROELECTRIC CAPACITOR
摘要 <p>본 발명의 목적은 강유전체 메모리 장치의 테스트 시 작은 커패시턴스를 가지는 강유전체 커패시터의 히스테리시스 특성에 대한 측정이 가능한 강유전체 메모리 장치를 제공하는 것이며, 본 발명의 일 측면에 따르면, 다수의 워드라인 및 다수의 정/부비트라인이 서로 교차되어 매트릭스 형태를 이루며, 적어도 하나의 강유전체 커패시터 및 스위칭 소자를 구비하는 다수의 단위 메모리 셀로 어레이되는 강유전체 메모리 어레이를 구비하는 강유전체 메모리 장치에 있어서, 어드레스 신호, 외부로부터 인가된 모드선택신호 및 입력 전압에 응답하여 각 단위 메모리 셀의 플레이트 라인에 연결된 글로벌플레이트라인을 구동하기 위한 글로벌플레이트 구동수단; 상기 모드선택신호에 응답하여 선택된 단위 메모리 셀의 상기 정/부비트라인과 연결된 정/부데이터라인버스의 신호를 스위칭하기 위한 스위칭 수단; 상기 스위칭 수단의 출력을 적분하기 위한 적분 수단; 및 상기 적분 수단의 출력을 버퍼링하여 출력 전압을 생성하기 위한 소스 팔로워를 구비하며, 상기 입력 전압과 상기 출력 전압을 토대로 선택된 단위 메모리 셀의 상기 강유전체 커패시터에 대한 히스테리시스 특성을 측정하는 강유전체 메모리 장치가 제공된다.</p>
申请公布号 KR100340066(B1) 申请公布日期 2002.06.12
申请号 KR19990024980 申请日期 1999.06.28
申请人 null, null 发明人 계훈우
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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