| 发明名称 | 真空断路器用电极材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种真空断路器用电极材料的制造方法，其特征在于，将Cu材料和Cr材料按所定的比率混合，所述的Cr材料为直径1mm以上的粒状及块状；对该混合材料加热，直至其全部熔化，作成二种元素均匀互熔的熔融金属；接着，急冷该熔融金属，使Cr成微细状析出于Cu基体材料中，藉此将Cr粒子微细化至20～30μm的粒径。 | ||
| 申请公布号 | CN1086247C | 申请公布日期 | 2002.06.12 |
| 申请号 | CN98105131.6 | 申请日期 | 1998.03.24 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 筱原久次;岩井弘美;筱仓恒树;武达男;潮崎克郎;古泽正幸;柴田和郎;畠山俊一 |
| 分类号 | H01H33/66;H01H1/02 | 主分类号 | H01H33/66 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 刘立平 |
| 主权项 | 1.一种真空断路器用电极材料的制造方法，其特征在于，将Cu材料和Cr材料按所定的比率混合，所述的Cr材料为直径1mm以上的粒状及块状；对该混合材料加热，直至其全部熔化，作成二种元素均匀互熔的熔融金属；接着，急冷该熔融金属，使Cr成微细状析出于Cu基体材料中，藉此将Cr粒子微细化至20～30μm的粒径。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||