发明名称 晶圆之灼垫网状组合连线分布构造
摘要 一种晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,该晶圆包含数个晶片及数条切道,该切道形成相互交错并隔离每一晶片。将数个晶片组成数个第一灼烧单元,该晶片上设有数个焊垫及在该第一灼烧单元外围的切道上设有数个第一灼垫,使第一灼垫环绕于该第一灼烧单元,而该第一灼垫在晶圆上隔离各第一灼烧单元。将数个第一灼烧单元组成数个第二灼烧单元,该第二灼烧单元外围的切道上设有数个第二灼垫,使第二灼垫环绕于该第二灼烧单元,而该第二灼垫在晶圆上隔离各第二灼烧单元。该数个晶片之功能相同的共同电性连接于第一灼垫,而该第一灼烧单元之功能相同的第一灼垫共同电性连接于相对应的一第二灼垫,使该第二灼垫分别电性连接于晶片内的电子元件以便进行晶圆级灼烧。
申请公布号 TW491359 申请公布日期 2002.06.11
申请号 TW088220263 申请日期 1999.11.25
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 刘安鸿;曾元平
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人 陈启舜 高雄巿苓雅区中正一路二八四号十二楼
主权项 1.一种晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,该晶圆包含:数个晶片,其排列于该晶圆上;数条切道,其相互交错并隔离每一晶片;数个焊垫,其设于该晶片表面上;数个第一灼烧单元,其系由数个晶片所组成;数个第一灼垫,其设于该第一灼烧单元外围的切道上,该第一灼烧单元内功能相同的焊垫共同电性连接于相对应之一第一灼垫,该第一灼烧单元在该晶圆表面上形成一第一重新布置层;数个第二灼烧单元,其系由数个第一灼烧单元所组成;及数个第二灼垫,其设于该第二灼烧单元外围的切道上,该第二灼烧单元内功能相同的第一灼垫共同电性连接于相对应之一第二灼垫供进行晶圆级灼烧,该第二灼烧单元在该晶圆表面上形成一第二重新布置层;因而该晶圆进行灼烧时,晶圆灼烧装置之探针抵触于该第二灼垫,在进行灼烧完后进行晶圆切割时,该第一灼垫及第二灼垫被一并切除。2.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该第一灼垫以引线电性连接于相对应之该焊垫,而该第二灼垫以引线电性连接于相对应之该第一灼垫。3.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该引线系由重新布置方式设置。4.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该引线将焊垫经晶片表面及第一灼烧单元内的切道电性连接至相对应的第一灼垫,而该引线将第一灼垫经晶片表面及第二灼烧单元内的切道电性连接至相对应的第一灼垫。5.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该第一灼烧单元系由四个晶片所组成,而该第二灼烧单元系由四个第一灼烧单元组成。6.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该第一灼烧单元系由九个晶片所组成,而该第二灼烧单元系由九个第一灼烧单元组成。7.依申请专利范围第1项之晶圆之灼垫网状组合连线分布构造,其中该第一灼烧单元之晶片数量为42.52.62.72及整数的平方,而该第二灼烧单元之第一灼烧单元数量为42.52.62.72及整数的平方。图式简单说明:第1图:习用美国专利第5,600,257号半导体晶圆测试及灼烧装置之分解立体图;第2图:本创作较佳实施例晶圆之上视图;第3图:本创作第一较佳实施例第一灼烧单元之上视图;第4图:本创作第一较佳实施例第二灼烧单元之上视图;第5图:本创作第二较佳实施例第二灼烧单元之上视图;第6图:本创作第二较佳实施例第二灼烧单元之上视图;第7图:本创作第三较佳实施例第二灼烧单元之上视图;及第8图:本创作第三较佳实施例第二灼烧单元之上视图。
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