| 主权项 |
1.一种制备六氟钛化钡(BaTiF6)粉末之方法,其步骤包括:a.提供一特定浓度之六氟钛酸(H2HiF6)与一特定浓度之硝酸钡Ba(NO3)2溶液,并将其直接混合反应以于低温下生成沉淀之六氟钛化钡,其中,该低温系介于0至100℃之间,该硝酸钡Ba(NO3)2溶液之体积莫耳浓度范围系介于0.01M至0.30M之间,该六氟钛酸H2TiF6溶液之体积莫耳浓度范围系介于0.01M至6.10M之间,而该硝酸钡溶液与该六氟钛酸溶液之反应体积比范围系介于20:2与20:12之间;以及b.分离并乾燥处理该沉淀之六氟钛化钡。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中分离该沉淀之六氟钛化钡方法系为利用加热与化学层析技术其中之一而为之。3.一种于一矽晶片上成长一钛酸钡(BaTiO3)薄膜之方法,其步骤包括:a.提供一六氟钛化钡(BaTiF6)粉末,并将该粉末溶于水中;b.加入一特定浓度之硼酸(H3BO3)溶液以形成一混合溶液;以及c.将该矽晶片置于该混合溶液中,以于低温下进行液相沉积成长该钛酸钡薄膜于该矽晶片上,其中,该钛酸钡(BaTiO3)薄膜之沉积温度范围系介于0至100℃之间,该六氟钛化钡水溶液浓度范围系介于0.01至0.06M之间,且该硼酸溶液之浓度范围系介于0.01至0.95M之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钛酸钡薄膜可沉积于该矽晶片之一矽基板上。5.一种于一矽晶片上成长一钛酸钡(BaTiO3)薄膜之方法,其步骤包括:a.提供一六氟钛化钡(BaTiF6)粉末,其中该粉末系由六氟钛酸(H2TiF6)与硝酸钡Ba(NO3)2溶液于低温下直接混合反应而生成;其中,该低温系介于0至100℃之间,该硝酸钡Ba(NO3)溶液之体积莫耳浓度范围系介于0.01M至0.30M之间,该六氟钛钡H2TiF6溶液之体积莫耳浓度范围系介于0.01M至6.10M之间,而该硝酸钡溶液与该六氟钛酸溶液之反应体积比范围系介于20:2与20:12之间;b.将该六氟钛化钡(BaTiF6)粉末溶于水中,并加入一特定浓度之硼酸(H3BO3)溶液以形成一混合溶液;以及c.将该矽晶片置于该混合溶液中,以于低温下进行液相沉积成长该钛酸钡薄膜于该矽晶片上,其中,该钛酸钡(BaTiO3)薄膜之沉积温度范围系介于0至100℃之间,该六氟钛化钡水溶液浓度范围系介于0.01至0.06M之间,且该硼酸溶液之浓度范围系介于0.01至0.95M之间。图式简单说明:第一图:本案最佳实施例之流程示意图;第二图:本案实施例所形成之钛酸钡薄膜之二次离子质谱仪(SIMS)组成分析图;第三图:本案实施例所形成之钛酸钡薄膜之电容量对电压之特性曲线图;以及第四图:本案实施例所形成之钛酸钡薄膜之漏电流密度对电场强度之特性曲线图。 |
