平面研磨装置及平面研磨方法

摘要

本发明之目的系提供一种平面研磨装置，其系改变化学机械研磨(CMP)，而以全新的研磨手法达成 ，可达半导体装置等无偏差平坦化加工所要求的精密研磨。本发明的平面研磨装置具有：支持被加工物的支持装置、和被加工物欲研磨的平面呈相对运动且由弹性材料所构成的研磨具、将研磨砥液供给到前述平面和研磨具之间的研磨砥液供给装置。在研磨过程中，将研磨砥液引入到形成在研磨具和前述平面之间的微小间隙，并将研磨砥液中的研磨砥粒，以高速且锐角的方式冲突到前述平面上，利用此冲突对平面产生极微小量破坏的现象，而以非接触研磨的方式研磨平面。

主权项

1.一种平面研磨装置,其特征在于,包括:一支持装置,支持一被加工物;一研磨具,和该被加工物之欲研磨的平面呈相对运动;以及一研磨砥液供给装置,将一研磨砥液供给到该平面和该研磨具之间,利用形成于该平面和该研磨具之间的该研磨砥液之流,在非接触的状态下研磨该平面。2.如申请专利范围第1项所述之平面研磨装置,其特征在于,该研磨砥液系和该平面不起化学反应者。3.如申请专利范围第1项所述之平面研磨装置,其特征在于,该被加工物包括一半导体晶圆。4.如申请专利范围第1项所述之平面研磨装置,其特征在于,该被加工物包括由一半导体装置制程所得的一中间构体。5.如申请专利范围第1项所述之平面研磨装置,其特征在于,该被加工物包括一半导体装置。6.一种平面研磨方法,其特征在于,包括:在一被加工物之欲研磨的平面和一研磨具之间提一相对运动;供给一研磨砥液到该平面及该研磨具之间;以及利用形成于该平面和该研磨具之间的该研磨砥液之流,以非接触状态研磨该平面。7.如申请专利范围第6项所述之平面研磨方法,其特征在于,该研磨砥液系和该平面不起化学反应者。图式简单说明:第1图绘示本发明之平面研磨装置A之斜视图;第2图绘示本发明之平面研磨装置A之侧视剖视图;第3图绘示研磨半导体晶圆之平面研磨装置B之斜视图;第4图绘示研磨精密光学零件的平面研磨装置C之斜视图;第5图绘示本发明之平面研磨装置D之侧视剖视图;第6图绘示本发明之平面研磨装置D之平面图;第7A图及第7B图绘示本发明之平面研磨装置之研磨垫之其他实施例之示意图;第8图绘示本发明之平面研磨装置E之斜视图;第9图绘示平研磨装置工程之手顺流程示意图;第10图绘示层间绝缘膜之平坦化工程的CMP之中间构体之剖视图;第11图绘示元件间分离之平坦化工程的CMP之中间构体之剖视图;第12A图-第12C图绘示镶嵌法之加工手顺之中间构体之剖视图;第13A图绘示薄形化之中间构体剖视图;第13B图绘示碟状之中间构体剖视图;第14A图-第14C图绘示双重金属镶嵌法之加工手顺之中间构体剖视图。