| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:薄膜之绝缘带体,形成带状并配设多数一定之配线图形;及半导体元件,于长度方向以一定间隔搭载在该绝缘带体表面,并电连接于上述配线图形;上述绝缘带体处黏着有厚膜之补强用构件,沿上述补强用构件之长度方向在两侧设置输送用之一定间隔之孔,上述输送用孔之内侧设有补强用构件中央部剥离用之孔。2.一种半导体装置,包含:薄膜之绝缘带体,形成带状并配设多数一定之配线图形;及半导体元件,于长度方向以一定间隔搭载在该绝缘带体表面,并电连接于上述配线图形;上述绝缘带体之两侧,及各相邻之半导体元件间之各半导体元件装载部及各配线图形之配置部之外侧处,黏着有厚膜之补强用构件,沿上述补强用构件之长度方向在两侧设置输送用之一定间隔之孔。3.一种半导体装置,包含:薄膜之绝缘带体,形成带状并配设多数一定之配线图形;及半导体元件,于长度方向以一定间隔搭载在该绝缘带体表面,并电连接于上述配线图形;沿长度方向于上述绝缘带体之两侧,设置输送用之一定间隔之孔;前述补强用构件及前述绝缘带体材料使用附两面铜箔薄膜,而前述配线图形系将该附两面铜箔薄膜一面之铜箔蚀刻成一定图形以形成,前述补强用构件系将该附两面铜箔薄膜另一面之铜箔蚀刻成一定图形以形成。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体装置,其中在前述绝缘带体两端之外侧,配置前述补强用构件之孔。5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体装置,其中前述绝缘带体两侧具有与前述补强用构件之孔对应之输送用一定间隔之孔,且前述绝缘带体之孔与前述补强用构件之孔重叠。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述绝缘带体材料使用附铜箔薄膜,而前述配线图形系将该附铜箔薄膜之铜箔蚀刻成一定图形以形成。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述补强用构件材料使用宽度35mm、48mm或70mm之带体。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述补强用构件材料使用厚度50m-75m之聚醯亚胺薄膜。9.一种半导体装置之制造方法,包含:第1步骤,在厚膜补强用带体两侧长度方向以一定间隔形成输送用第1孔群并沿该补强用带体两侧该第1孔群内侧长度方向形成分别排列之剥离用第2孔群;第2步骤,将比前述第1孔群两侧间隔宽度狭窄之薄膜绝缘带体复盖前述第2孔群两侧贴在前述补强用带体内侧部分;第3步骤,向长度方向将多数一定配线图形配设在前述绝缘带体上;及第4步骤,在前述绝缘带体表面上以电连接分别对应之配线图形于长度方向以一定间隔搭载多数半导体元件;更在前述第3步骤前、前述第3步骤与第4步骤间、或前述第4步骤后,含形成第3孔群之步骤,即分别跨越第2孔群各邻接孔以连接排列之前述第2孔群各列之孔。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中在形成前述第3孔群步骤后含:从前述绝缘带体剥离被夹在各列孔连接之前述第2孔群两列之补强用带体内侧部分之步骤。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,包括:以树脂封住前述半导体元件后从前述绝缘带体剥离被夹在各列孔连接之前述第2孔群两列之补强用带体内侧部分之步骤。12.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中在前述第2步骤使用热硬化型黏接剂或UV硬化型黏接剂将前述绝缘带体贴在前述补强用带体。13.一种半导体装置之制造方法,包含:第1步骤,在厚膜补强用带体两侧并在后形成之第1孔群内侧沿长度方向形成分别排列之剥离用第2孔群;第2步骤,重叠与前述补强用带体略同一宽度之绝缘带体贴在前述补强用带体;第3步骤,同时贯穿重叠之前述补强用带体及前述绝缘带体并沿两带体两侧长度方向以一定间隔形成输送用第1孔群;第4步骤,在前述绝缘带体向长度方向配设多数一定之配线图形;及第5步骤,在前述绝缘带体表面上以电连接分别对应之配线图形于长度方向以一定间隔搭载多数半导体元件;更在前述第4步骤前、前述第4步骤与第5步骤间、或前述第5步骤后,含形成第3孔群之步骤,即分别跨越第2孔群各邻接孔以连接排列之前述第2孔群各列之孔。14.一种半导体装置之制造方法,包含:第1步骤,沿厚膜补强用带体长度方向以一定间隔配置之多数部分并含后形成配线图形及半导体元件位置之部分形成第4孔群;第2步骤,重叠与前述补强用带体略同一宽度之薄膜绝缘带体贴在前述补强用带体;第3步骤,同时贯穿重叠之前述补强用带体及前述绝缘带体并沿两带体两侧长度方向以一定间隔形成输送用第1孔群;第4步骤,在前述绝缘带体上与前述第4孔群对应位置于长度方向配设多数一定之配线图形;及第5步骤,在前述绝缘带体表面上与前述第4孔群对应位置以电连接分别对应之配线图形向长度方向以一定间隔装载多数半导体元件。15.一种补强用带体,其系与带状绝缘带体重叠接合并在制造过程时补强该绝缘带体之形成带状之厚膜补强用带体,且具有接合后从前述绝缘带体剥离其一部分用之剥离用第2孔群。16.如申请专利范围第15项之补强用带体,沿长度方向两侧具有输送用一定间隔之孔。17.如申请专利范围第15或第16项之补强用带体,在与前述绝缘带体之半导体元件装载位置对应之位置形成开口部。图式简单说明:第1(a)图系依照本发明之一实施形态有关之带体托架构造平面图,第1(b)图系D-D线断面图。第2(a)图系上述带体托架构造平面图,第2(b)图-第2(d)图系分别为E-1线、F-1线及G-1线之断面图。第3(a)图-第3(f)图系上述带体托架之制造步骤平面图。第4(a)图-第4(f)图系上述带体托架之制造步骤断面图。第5图系弯曲配置上述带体托架之液晶显示装置构造平面图。第6(a)图系本发明之其他实施形态有关之带体托架构造平面图,第6(b)图-第6(d)图系分别为E-2线、F-2线及G-2线之断面图。第7(a)图-第7(f)图系第6(a)图所示带体托架之制造步骤平面图。第8(a)图-第8(f)图系第6(a)图所示带体托架之制造步骤断面图。第9(a)图系本发明之另一其他实施形态有关之带体托架构造平面图,第9(b)图-第9(d)图系分别为E-3线、F-3线及G-3线之断面图。第10(a)图-第10(f)图系第9(a)图所示带体托架之制造步骤平面图。第11(a)图系第9(a)图所示带体托架之其他构成例之平面图,第11(b)图-第11(d)图系分别为E-4线、F-4线及G-4线之断面图。第12(a)图系本发明之另一其他实施形态有关之带体托架构造平面图,第12(b)图-第12(d)图系分别为E-5线、F-5线及G-5线之断面图。第13(a)图-第13(e)图系第12(a)图所示带体托架之制造步骤平面图。第14(a)图-第14(e)图系第12(a)图所示带体托架之制造步骤断面图。第15(a)图系第12(a)图所示带体托架之其他构造例平面图,第15(b)图-第15(d)图系分别为E-6线、F-6线及G-6线之断面图。第16(a)图系本发明之另一其他实施形态有关之带体托架构造平面图,第16(b)图-第16(d)图系分别为E-7线、F-7线及G-7线之断面图。第17(a)图-第17(d)图系第16(a)图所示带体托架之制造步骤平面图。第18(a)图系先前之TCP用带体托架之构造平面图,第18(b)图系J-J线之断面图。第19(a)图系先前之COF用带体托架之构造平面图,第19(b)图系H-H线之断面图。 |
