在电浆处理系统中用于降低反应气体温度之主动式冷却分布板

摘要

在此提供一电浆处理系统(10)，该电浆处理系统(10)具有处理腔壁(53)及/或设有用于当由此系统处理一晶圆(18)时可降低处理腔的温度之整合式冷却通路(80，156)的一气体分布或挡板(54)。冷却介质入口(158，82)及出口(160，86)系被连接至该冷却通路以允许一冷却介质之循环流穿过该冷却通路。最好是，该腔壁(53)及该气体分布或挡板(54)系由低合金电镀铝材质所构成且该冷却通路系直接地加工在该气体分布或挡板(54)之中。该冷却介质可以不是液体(例如水)就是气体(例如氦或氮)。该挡板(54)包括一被一凸缘(78)围绕之一大致呈平面，有孔穴之气体分布中心部(74)，在该凸缘(78)及该中心部份(74)两者之内延伸着该冷却通路。在该腔壁(53)及那些在该气体分布或挡板(54)之冷却通路可以是相互通连以允许它们可分担一单独冷却循环系统。另外地，在腔壁(53)及那些在该气体分布或挡板(54)之冷却通路也可以是不相互通连，以允许对每一冷却通路提供一单独冷却循环系统(气体或液体)，因而使每一冷却通路能够单独地温度控制及各别地流量控制。在操作中，在该腔壁之冷却通路(156)的冷却介质温度大约是维持在15℃至30℃之范围内，且在该气体分布或挡板之冷却通路(50)的冷却介质温度大约是维持在15℃到80℃之范围内。周期性地，该下部挡板可交换她操作在上至250℃以除去来自该挡板在低操作温度(例如15℃到80℃)下会凝聚且残留在该挡板表面之制程残留物。

主权项

1.一种电浆处理系统(10),其包括:一电浆产生器(14);一处理腔(16),其具有一与该电浆产生器(14)相通之一内部空腔(17)使得在该电浆产生器之内的电浆可以流进入该内部空腔以和置于该处理之内的一基底(18)之表面相反应;该处理腔包括壁(53),其至少一部份可定义该内部空腔(17),该壁提供有用于降低该处理腔的一操作温度之第一冷却通路(156);一冷却介质入口(158)及一冷却介质出口(160),其系和该第一冷却通路(156)相通以允许一流通过该第一冷却通路之一冷却介质的循环;及一用于加热该基底(18)之辐射加热组件(20)。2.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统(10),其中该第一冷却通路(156)系置于该壁(53)的内部。3.如申请专利范围第2项所述之电浆处理系统(10),其中该壁(53)系包括低合金电镀铝且该第一冷却通路(156)系被加工进入该壁的内部。4.如申请专利范围第2项所述之电浆处理系统(10),其中该冷却介质系一液体。5.如申请专利范围第4项所述之电浆处理系统(10),其中该冷却介质为水。6.如申请专利范围第2项所述之电浆处理系统(10),其中该冷却介质系一气体。7.如申请专利范围第6项所述之电浆处理系统(10),其中该冷却介质为氦气或是氮气。8.如申请专利范围第2项所述之电浆处理系统(10),其更包括置于在该电浆产生器(14)与该处理腔(17)间之一挡板(54),该挡板(54)具有(i)在该挡板之内且用于允许电浆流通过该挡板之穿透孔(76);(ii)用于接受冷却介质的流动以降低该挡板的一操作温度之第二冷却通路(80):及(iii)一冷却介质入口(82)及一冷却介质出口(86),其系和该第二冷却通路(80)相连通以允许一冷却介质通过该挡板之循环。9.如申请专利范围第8项所述之电浆处理系统(10),其中该挡板(54)系包括一大致呈平面状,有穿透孔气体分布中心部份(74),其系被一凸缘(75)所围绕,该第二冷却通路目该凸缘延伸进入该具有穿透孔之中心部份的内部。10.如申请专利范围第8项所述之电浆处理系统(10),其中该第一冷却通路(156)和该另二冷却通路(80)系互相连通的以使得允许这两个冷却通路可共同分享一单一冷却剂循环系统。11.如申请专利范围第8项所述之电浆处理系统(10),其中该第一冷却通路(156)和该第二冷却通路(80)系不相互连通的。12.如申请专利范围第11项所述之电浆处理系统(10),其中在该第一冷却通路(156)之内的冷却介质系维持在大约15℃至30℃的温度范围内,且在该第二冷却通路(80)之内的冷却介质系维持在大约15℃至80℃的温度范围内。13.如申请专利范围第8项所述之电浆处理系统(10),其中该挡板(54)系包括低合金电镀铝且该第二冷却通路(80)系被加工置于挡板之内部。14.一种用于电浆处理系统之气体分布板(54),其包括:一大致呈平面状之中心部份(74),其具有该中心部份内部之穿透孔(76)以允许气体流通过该中心部份;冷却通路(80),其系用于接受冷却介质之流动以降低该挡板之一操作温度;及一冷却介质入口(82)及一冷却介质出口(86),其和该第二冷却通路(80)相连通以允许一流通过该挡板的冷却介质之循环。15.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其中该中心部份(74)系被一凸缘(78)所围绕,该冷却通路(80)自该凸缘延伸进入该具有穿透孔的中心部份之内部。16.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其中该板(54)系包括低合金电镀铝且该冷却通路(80)系被加工置于该板之内部。17.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其中冷却介质系一液体。18.如申请专利范围第17项所述之气体分布板(54),其中该冷却介质为水。19.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其中该冷却介质系一气体。20.如申请专利范围第19项所述之气体分布板(54),其中该冷却介质系氦气或是氮气。21.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其更包括一大致呈面状的上挡板(155),其系附着至该挡板(54)且与该挡板系以一个距离所分开,该上挡板(155)提供有穿透孔(175)。22.如申请专利范围第21项所述之气体分布板(54),其中在该上挡板(155)之内部的穿透孔(175)系些许大于在该下挡板(54)之内部的穿透孔。23.如申请专利范围第14项所述之气体分布板(54),其中该上挡板(155)系包括石英。图式简单说明:图1为一光阻化灰器之截面图,该光阻化灰器之内包含一依据本发明建构一挡板之一第一实施例。图2为图1所示之挡板的第一实施例之部份切开,透视图。图3为一光阻化灰器腔组件之部份切开,透视图,该光阻化灰器之内包含依据本发明建构之一挡板组件的一第二实施例。图4为图3所示之该挡板组件的第二实施之一低挡板的部份切开,透视图。图5为在图3中所示之该挡板组件的平面图。图6为沿着图5之线6-6的该挡板组件之截面图。图7为沿着图6之线7-7的该挡板组件之截面图。