| 主权项 |
1.一种制造铬膜光罩之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一基板,该基板的一面具有铬膜层;形成一第一阻剂层于该铬膜层上;进行第一次电子束写入方式曝光该第一阻剂,该第一次电子束曝光系以抵剂量曝光方式曝第一预定区;进行第二次电子束写入方式曝光该阻剂,该第二次电子束曝光系以高剂量曝光方式曝第二预定区;进行显影,用以将该第二预定区之该第一阻剂移除以曝露出预定之图案边线之该铬膜层,该第一预定区之该第一阻剂仅部分被移除而形成预定之第一阻剂图案;利用该显影后残留之第一阻剂图案为罩幕施以非等向性乾式蚀刻,以移除曝露之铬膜层,以曝露该基板;去除部分第一阻剂图案,以曝露该第一预定区的铬膜层;涂布第二阻剂图案于该第一阻剂图案及该曝露之铬膜层与基板上,该第二阻剂层系用以包覆该曝露之该基板;施以阻剂层回蚀刻,以该第一阻剂图案为回蚀刻终止点,用以再次曝露该第一区之铬膜层,该第二阻剂层仍包覆该基板;移除该曝露之该第一预定区之裸露的铬膜层;及移除所有残留之第一阻剂以曝露未被蚀刻之该铬膜层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一区系以湿式蚀刻法移除之区域。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二区系以乾式蚀刻法移除之区域,同时也是欲留下之铬膜层图案的边框。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二区宽约为0.05-0.25m。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之部分移除系指阻剂之厚度比原厚度减少,但仍有阻剂覆盖。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基板至少包含石英基板或玻璃基板其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之低剂量,系指以10-50 keV的能量累积5-15 c/cm2的能量对阻剂层写入。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高剂量,系指以10-50keV的能量累积15-30 c/cm2的能量对阻剂层写入。9.一种制造铬膜光罩之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一基板,该基板的一面具有铬膜层;形成一第一阻剂层于该铬膜层上;进行第一次电子束写入方式曝光该第一阻剂,该第一次电子束曝光系以抵剂量曝光方式曝第一预定区,该第一预定区系待以湿式蚀刻移除之区域;进行第二次电子束写入方式曝光该阻剂,该第二次电子束曝光系以高剂量曝光方式曝第二预定区,该第二预定区系欲保留之铬膜图案之边框区域;进行显影,用以将该第二预定区之该第一阻剂移除以曝露出预定之图案边线之该铬膜层,该第一预定区之该第一阻剂仅部分被移除而形成预定之第一阻剂图案,上述之部分移除系指阻剂之厚度比原厚度减少,但仍有阻剂覆盖铬膜层;利用该显影后残留之第一阻剂图案为罩幕施以非等向性乾式蚀刻,以移除曝露之铬膜层,以曝露该基板;去除部分第一阻剂图案,以曝露该第一预定区的铬膜层;涂布第二阻剂图案于该第一阻剂图案及该曝露之铬膜层与基板上,该第二阻剂层系用以包覆该曝露之该基板;施以阻剂层回蚀刻,以该第一阻剂图案为回蚀刻终止点,用以再次曝露该第一区之铬膜层,该第二阻剂层仍包覆该基板;移除该曝露之该第一预定区之裸露的铬膜层;及移除所有残留之第一阻剂以曝露未被蚀刻之该铬膜层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二区宽约为0.05-0.25m。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之基板至少包含石英基板或玻璃基板其中之一。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之低剂量,系指以10-50 keV的能量累积5-15 c/cm2的能量对阻剂层写入。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之高剂量,系指以10-50 keV的能量累积15-30 c/cm2的能量对阻剂层写入。图式简单说明:图一显示依据本发明的一实施例所预计形成之铬膜光罩图案的示意图。图二a显示依据本发明的实施例而准备之铬膜光罩基板的横截面示意图。图二b显示依据本发明的实施例而对铬膜光罩基板施以电子束写入于阻剂层后呈现阶梯状反应区域的横截面示意图示意图。图二c显示依据本发明的实施例而对铬膜光罩基板施以显影步骤后残留阻剂的横截面示意图。图二d显示依据本发明的实施例以残留阻剂为罩幕,而对铬膜光罩基板施以乾式蚀刻法后的横截面示意图。图二e显示依据本发明的实施例而对铬膜光罩基板施以含氧电浆以去除部分阻剂后的横截面示意图。图二f显示依据本发明的实施例再次涂布一薄阻剂层后的横截面示意图。图二g显示依据本发明的实施例施以回蚀刻阻剂层后的横截面示意图。图二h显示依据本发明的实施例,以残留阻剂为罩幕,而对铬膜光罩基板施以乾式蚀刻法后的横截面示意图。图二i显示依据本发明的实施例而对铬膜光罩基板施以含氧电浆去除所有阻剂后的横截面示意图。 |
