| 主权项 |
1.一种有机电激发光元件之制造方法,其中该有机电激发光显示面板包含复数个发光区域,包含:(A)提供一基板;(B)于该基板上形成一对应于发光区域之第一电极;(C)于含第一电极之基板上形成一条状光阻层,该光阻层系突出于含第一电极之基板;(D)于条状光阻层间之暴露区域之第一电极上沈积有机发光介质,以于第一电极上形成复数个包含有机发光介质之第一电极区域;(E)于有机发光介质层上形成第二电极;(F)于第二电极上形成应力抵销层,其中该应力抵销层为矽氧氮薄膜或高分子膜;以及(G)于应力抵销层上形成防水层,其中该防水层为非晶矽,无机氮化物或无机氧化物。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其更包含于防水层上形成保护层,其中该保护层为高分子膜。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该高分子膜为PTFE。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该防水层氮化物为氮化矽,氮化铝或氮化铬铝。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该防水层氧化物为氧化矽或氧化铝。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该应力抵销层高分子膜系先将parylene涂布于该第二电极上,再以蒸气沈积聚合(vapor deposition polymerization)或电浆化学沈积法(PECVD)于第二电极上形成。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该应力抵销层矽氧氮薄膜系电浆化学沈积法(PECVD)于第二电极上形成。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该应力抵销层非晶矽系为低温成长之非晶矽。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该保护层高分子膜系先将parylene涂布于该防水层上,再以蒸气沈积聚合(vapor deposition polymerization)或电浆化学沈积法(PECVD)于该防水层上形成。10.一种有机电激发光元件之制造方法,包含:(A)提供一基板;(B)于该基板上形成一对应于发光区域之第一电极;(C)于第一电极上沈积有机发光介质;(D)于有机发光介质层上形成第二电极;以及(E)于第二电极上形成防水层,其中该防水层为非晶矽。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其更包含于形成防水层前,先于第二电极上兴成一应力抵销层,其中该应力抵销层为矽氧氮薄膜或高分子膜。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该高分子膜为PTFE。13.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该非晶矽系为低温成长之非晶矽。14.一种有机电激发光元件,至少包含:一基板;复数个第一电极,该复数个第一电极平行排列于基板上;复数个条状光阻层,该条状光阻层系突出于含第一电极之基板;复数个有机发光介质层,该有机发光介质层沈积于第一电极上;复数个第二电极,该第二电极位于有机发光介质层上;应力抵销层,其中该应力抵销层位于第二电极上且该应力抵销层为矽氧氮薄膜或高分子膜;以及防水层,其中该防水层位于该应力抵销层上且该防水层为非晶矽,无机氮化物或无机氧化物。15.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光元件,其更包含一保护层,其中该保护层位于该防水层上且为一高分子膜。16.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光元件,其中该高分子膜为PTFE。17.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光元件,其中该防水层氮化物为氮化矽,氧化铝或氮化铬铝。18.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光元件,其中该防水层氧化物为氧化矽或氧化铝。19.如申请专利范围第14项所述之有机电激发光元件,其中该应力抵销层高分子膜系先将parylene涂布于该第二电极上,再以蒸气沈积聚合(vapor depositionpolymerization)或电浆化学沈积法(PECVD)于第二电极上形成。20.一种有机电激发光元件,至少包含:一基板;一第一电极,该第一电极位于基板上;一有机发光介质层,该有机发光介质层沈积于第一电极上;一第二电极,该第二电极位于有机发光介质层上;以及一防水层,其中该位于第二电极上,且该防水层为非晶矽。21.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光元件,其中该非晶矽系为低温成长之非晶矽。图式简单说明:第1图系习知OLED面板表面之截面剖视图。第2图系本发明实施例1之OLED面板表面之截面剖视图。第3图系本发明实施例2之OLED面板表面之截面剖视图。第4图系本发明实施例3之OLED面板表面之截面剖视图。 |
