| 主权项 |
1.一种氧化物磁性材料,包含:三氧化二铁35.0至51.0%莫耳比;氧化铜1.0至35.0%莫耳比;氧化镍38.0至64.0%莫耳比;以及氧化锌0至10.0%莫耳比(含0%莫耳比)。2.如申请专利范围第1项之氧化物磁性材料,进一步含有钙0.3%重量比或以下(不含0%)。3.如申请专利范围第2项之氧化物磁性材料,进一步含有氧化钴0.7%重量比或以下(不含0%)。4.一种氧化物磁性材料之制造方法,其步骤包含:提供一种氧化物磁性材料包含三氧化二铁35.0至51.0%莫耳比,氧化铜1.0至35.0%莫耳比,氧化镍38.0至64.0%莫耳比,以及氧化锌0全10.0%莫耳比(含0%);添加磷酸钙0.5%重量比或以下(不含0%)至氧化物磁性材料;以及烧制该氧化物磁性材料。5.如申请专利范围第4项之氧化物磁性材料之制造方法,进一步包含添加氧化亚钴0.7%重量比或以下之步骤。6.一种本体型晶片元件,包含:氧化物磁性材料之烧结本体,该氧化物磁性材料含有三氧化二铁35.0至51.0%莫耳比,氧化铜1.0至35.0%莫耳比,氧化镍38.0至64.0%莫耳比;以及氧化锌0至10.0%莫耳比(含0%莫耳比)。7.如申请专利范围第6项之本体型晶片元件,其中该磁性材料之烧结本体进一步含有钙0.3%重量比或以下(不含0%)。8.如申请专利范围第7项之本体型晶片元件,其中该磁性材料之烧结本体进一步含有氧化亚钴0.7%重量比或以下(不含0%)。9.一种叠片线圈元件,包含:氧化物磁性材料之烧结本体,该氧化物磁性材料含有三氧化二铁35.0至51.0%莫耳比,氧化铜1.0至35.0%莫耳比,氧化镍38.0至64.0%莫耳比,以及氧化锌0至10.0%莫耳比(含0%莫耳比)。10.如申请专利范围第9项之叠片线圈元件,其中该磁性材料之烧结本体进一步含有钙0.3%重量比或以下(不含0%)。11.如申请专利范围第10项之叠片线圈元件,其中该磁性材料之烧结本体进一步含有氧化亚钴0.7%重量比或以下(不含0%)。12.如申请专利范围第9项之叠片线圈元件,进一步包含一个内部导体,其系由导体组成,该导体含有银或银-钯合金之主要成分。13.一种晶片元件之制造方法,其步骤包含:提供氧化物磁性材料之烧结本体,该氧化物磁性材料包含:三氧化二铁35.0至51.0%莫耳比,氧化铜1.0至35.0%莫耳比,氧化镍38.0至64.0%莫耳比,以及氧化锌0至10.0%莫耳比(含0%);提供含有银或银-钯合金之主要成分之内部导体于烧结本体内做为导电层或电导体;以及于880至920℃下烧制该氧化物磁性材料及内部导体。14.如申请专利范围第13项之晶片元件之制造方法,进一步包含添加钙0.3%重量比或以下(不含0%)之步骤。15.如申请专利范围第14项之晶片元件之制造方法,进一步包含添加氧化亚钴0.7%重量比或以下之步骤。 |
