| 主权项 |
1.一种覆晶结构,包括;一半导体基体,包括一电子装置形成于其上;一基垫板,在该半导体基体上,并且电气连接至该电子装置;一障碍层,位于该基垫板和该半导体基体之间;并且一打线,形成于该基垫板上,并且从该基垫板延伸出,其中该打线和基垫板系连续并且由实质上相同的导电基本材料所形成。2.如申请专利范围第1项之覆晶结构,尚包括:一被动层,在该半导体基体上,其中该被动层定义一在该基垫板上方的开口,该打线经由此开口而形成。3.如申请专利范围第2项之覆晶结构,其中该被动层包括定义该开口的边缘,并且其中该被动层和该边缘为一弹性层所覆盖。4.如申请专利范围第3项之覆晶结构,其中该弹性层系由一聚亚胺薄膜所构成。5.如申请专利范围第1项之覆晶结构,其中该打线被暴露以供后续的黏结至另一结构。6.如申请专利范围第1项之覆晶结构,尚包括:一焊锡结构形成于该打线上,其中该焊锡结构被暴露供后续高温回焊黏至另一结构。7.如申请专利范围第6项之覆晶结构,其中该焊锡结构系由下列各物中所选出导电材料所形成:铅、锡、锡和铅、锡和银、以及锡、银和铜。8.如申请专利范围第1项之覆晶结构,其中该导电基本材料为一金属。9.如申请专利范围第7项之覆晶结构,其中该金属系由下列各物中所选出:铜、镍和镍钒。10.一种制造互连结构之方法,包括:形成一基垫板;在该互连结构上形成一被动层,其中该被动层包括定义一在该基垫板上的开口的边缘;经由该开口在该基垫板上直接形成一打线并且从该基垫板延伸出;并且其中该打线和基垫板皆为连续并且由实质上相同的导电基本材料所形成。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该打线被暴露供后续黏结至另一结构。12.如申请专利范围第10项之方法,尚包括:在该打线上形成一焊锡结构,其中该焊锡结构被暴露供后续高温回焊黏结至另一结构。13.如申请专利范围第10项之方法,尚包括:以一弹性层覆盖该被动层和该被动层的边缘。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该弹性层系由一聚亚胺薄膜所构成。15.如申请专利范围第10项之方法,其中形成该打线的步骤尚包括:(a)透过蒸发将该打线从该基垫板延伸出,使用实质上相同的导电基本材料做为该基垫板。图式简单说明:图1到3图示形成该互连结构的连续方法步骤之横断面图。图4A、4B及5图示如本发明,包括蚀刻该互连结构的连续方法之横断面图;图6到8图示如本发明形成该打线的连续方法步骤之横断面图;图9到11图示如本发明形成一焊锡结构的连续方法步骤之横断面图。图12到13图示如本发明供进一步形成用于无焊锡结构的该打线上的连续方法步骤之横断面图;图14到16图示如本发明其它具体实例,形成一打线和一焊锡结构的连续方法步骤之横断面图;及图17A和17B图示如本发明之本发明应用横断面图。 |
