发明名称 数位可调式电压参考电路
摘要 一种数位可调式电压参考电路的揭露,由浮动闸极神经细胞MOSFETs和一Vt参考电压源结构构成。电压参考电路藉由数位信号到在电压源的神经细胞MOSFET之多个输入的偏压,提供一电压准位的宽泛范围。
申请公布号 TW490607 申请公布日期 2002.06.11
申请号 TW088122739 申请日期 1999.12.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 季明华
分类号 G05F1/10;G05F3/02 主分类号 G05F1/10
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电压参考电路,包括: 一差分放大器,具有一第一输入、一第二输入以及 一输出; 一第一MOSFET,具有一源极、一汲极、以及一闸极, 该第一MOSFET之该闸极连接该放大器之该输出,该第 一MOSFET之该汲极连接该放大器之该第一输入,该第 一MOSFET之该源极连接一电压Vcc;以及 一神经细胞MOSFET具有一源极、一汲极以及至少两 输入,该神经细胞MOSFET之该汲极连接该放大器之该 第二输入,以及该第一MOSFET之该源极连接一电压Vcc ; 其中,该输出提供一电压参考。2.如申请专利范围 第1项所述之电压参考电路,更包括两电流电源连 接该第一MOSFET之该汲极和该神经细胞MOSFET之该汲 极,该两电流源分别以相同速率送出电流。3.如申 请专利范围第1项所述之电压参考电路,其中该放 大器之第一输入为一反向输入,该放大器之该第二 输入为一非反向输入。4.如申请专利范围第1项所 述之电压参考电路,其中该神经细胞MOSFET之该至少 两输入选择性偏压到Vcc,以提供该电压参考。5.如 申请专利范围第1项所述之电压参考电路,其中该 神经细胞MOSFET具有两输入,每一该输入具有一闸极 耦接比例为0.5。6.如申请专利范围第1项所述之电 压参考电路,其中该神经细胞MOSFET具有两个输入, 一第一输入具有一闸极耦接比例为1/3,以及一第二 输入具有耦接比例为2/3。7.如申请专利范围第1项 所述之电压参考电路,其中该神经细胞MOSFET具有三 个输入。图式简单说明: 第1图绘示习知参考电压电路图形; 第2图绘示习知神经细胞MOSFET图形; 第3图绘示根据本发明之两个输入之电压参考电路 的图形;以及 第4图绘示根据本发明之三个输入之电压参考电路 的图形。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号