| 主权项 |
1.一种记忆胞配置,其包含许多记忆胞,其特征是: 每一记忆胞具有二个磁阻元件,每一记忆胞中这些 磁阻元件须被磁化,使它们具有不同之电阻値,这 些记忆胞之一之各磁阻元件经由一条信号线而串 联且这样所形成之总电阻之二个末端处于相同大 小但相反极性之电压处。2.如申请专利范围第1项 之记忆胞配置,其中该磁阻元件是TMR元件或GMR元件 。3.如申请专利范围第1或第2项之记忆胞配置,其 中记忆胞之各磁阻元件相邻地配置在一个平面中 。4.如申请专利范围第1或2项之记忆胞配置,其中 -设置第一线和第二线,各第一线和各第二线分别 互相平行而延伸且第一线和第二线相交, -各磁阻元件分别配置在一条第一线和一条第二线 之间, -各记忆胞之一之磁阻元件分别与一些不同之第一 线及一条相同之第二线相连接。5.如申请专利范 围第4项之记忆胞配置,其中 -各磁阻元件分别具有至少一个第一铁磁层元件, 一个非磁性层元件及一个第二铁磁层元件,其中此 非磁性层元件配置在此二个铁磁层元件之间, -每一记忆胞中在磁阻元件之一中第一铁磁层元件 和第二铁磁层元件中之磁化方向是互相平行的,在 另一磁阻元件中第一铁磁层元件和第二铁磁层元 件中之磁化方向是互相成反向平行的。6.如申请 专利范围第5项之记忆胞配置,其中 -第一铁磁层元件和第二铁磁层元件分别含有这些 元素Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Bi、Gd及/或Dy中至少一种 且垂直于层平面之厚度分别是在2nm和20nm之间, -非磁性层元件含有Al2O3.NiO、HfO2.TiO2.NbO、SiO2.Cu、 Au、Ag及/或Al且垂直于层平面之厚度是在1nm和5nm之 间。7.如申请专利范围第4项之记忆胞配置,其中各 条第二线分别与一种电流随耦器相连接。8.一种 记忆胞配置之操作方法,此记忆胞配置是申请专利 范围第1至7项中任一项所述者,此操作方法之特征 是: -各记忆胞中之一之各磁阻元件须分别被磁化,使 它们具有不同之电阻, -为了读出记忆胞中之资讯,此记忆胞之各磁阻元 件须分别在一种电压位准和一种信号线之间切换, 其中此电压位准在数値上对此二个磁阻元件而言 是相等的但具有不同之极性,而此信号线对此二个 磁阻元件而言是相同的, -须在此信号线上评估:此信号线上之压降是否大 于0或小于0, -为了改变记忆胞中所储存之资讯,须改变此记忆 胞之此二个磁阻元件之电阻値。图式简单说明: 第1图一种记忆胞配置之图解,其记忆胞分别具有 二个磁阻元件。 第2图本发明记忆胞配置之接线图,读出过程依据 此图来描述。 第3图一种即将读出之记忆胞之等效电路。 第4图另一种接线图以用来读取此记忆胞配置。 第5图一种资讯写入时作为说明用之接线图。 |
