| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 一半导体基板; 第一MOS电晶体,形成于该半导体基板上;及 第二MOS电晶体,形成于该半导体基板上,其临限高 于该第一MOS电晶体, 其中于该第二MOS电晶体中,设定一通道区域内之杂 质浓度,俾能于一次临限漏电流转变成一带间漏电 流之际,出现一最小汲极电流,其等于该第二MOS电 晶体之OFF状态漏电流。2.一种半导体装置,包含: 一半导体基板; 第一MOS电晶体,形成于该半导体基板上;及 第二MOS电晶体,形成于该半导体基板上,其临限高 于该第一MOS电晶体, 其中于该第二MOS电晶体中,设定闸极长度,俾能于 一次临限漏电流转变成一带间漏电流之际,出现一 最小汲极电流,其等于该第二MOS电晶体之OFF状态漏 电流。3.一种半导体装置,包含: 一半导体基板; 第一MOS电晶体,形成于该半导体基板上;及 第二MOS电晶体,形成于该半导体基板上,其临限高 于该第一MOS电晶体, 其中于该第二MOS电晶体中,设定一通道区域内之杂 质浓度以及闸极长度,俾能于一次临限漏电流转变 成一带间漏电流之际,出现一最小汲极电流,其等 于该第二MOS电晶体之OFF状态漏电流。4.一种半导 体装置之制造方法,于该半导体装置中在同一基板 上形成一第一MOS电晶体以及一临限高于该第一MOS 电晶体之第二MOS电晶体;该半导体装置之制造方法 包含如下步骤:将该第二MOS电晶体中一通道区域内 杂质浓度设定为使得当一次临限漏电流转变成一 带间漏电流之际,出现一最小汲极电流,其等于该 第二MOS电晶体之OFF状态漏电流。5.一种半导体装 置之制造方法,于该半导体装置中在同一基板上形 成一第一MOS电晶体,以及一临限高于该第一MOS电晶 体之第二MOS电晶体;该半导体装置之制造方法包含 如下步骤:将该第二MOS电晶体之闸极长度设定为使 得当一次临限漏电流转变成一带间漏电流之际,出 现一最小汲极电流,其等于该第二MOS电晶体之OFF状 态漏电流。6.一种半导体装置之制造方法,于该半 导体装置中在同一基板上形成一第一MOS电晶体,以 及一临限高于该第一MOS电晶体之第二MOS电晶体;该 半导体装置之制造方法包含如下步骤:将该第二MOS 电晶体中一通道区域内杂质浓度以及闸极长度设 定为使得当一次临限漏电流转变成子带间漏电流 之际,出现一最小汲极电流,其等于该第二MOS电晶 体之OFF状态漏电流。图式简单说明: 图1显示一习知NMOS电晶体之闸极电压-汲极电流特 性,其中横向线表示一闸极电压,垂直线则表示一 汲极电流之常用对数。 图2显示一微细NMOS电晶体之闸极电压-汲极电流特 性,其中横向线表示一闸极电压,垂直线则表示一 汲极电流之常用对数。 图3显示一临限电压为OFF状态之微细NMOS电晶体之 漏电流特性,其中横向线表示一临限电压,垂直线 则表示一OFF状态漏电流。 图4显示一微细NMOS电晶体之基板偏压-OFF状态漏电 流特性,其中横向线表示一闸极电压,垂直线则表 示一汲极电流之常用对数。 图5A到5J为依据本发明之第一实施例,显示一半导 体装置制造方法之横剖面图。 图6显示一MOS电晶体之闸极电压-汲极电流特性,其 中横向线表示一闸极电压,垂直线则表示一汲极电 流之常用对数,设定临限使本发明之汲极电流之最 小値为OFF状态漏电流。 图7为依据本发明之第二实施例,显示一半导体装 置之横剖面图。 |
