Verfahren zur Bildung leicht dotierter Gebiete in einem Halbleiterbauelement

摘要

Es ist ein Verfahren offenbart, in dem ein leicht dotiertes Gebiet in einem Substrat erhalten wird, indem Dotieratome einer ersten und zweiten Art in das darunterliegende Substrat diffundiert werden. Vorzugsweise wird das Verfahren auf die Bildung leicht dotierter Source- und Draingebiete in einem Feldeffekttransistor angewendet, um einen erforderlichen graduellen Übergang der Dotierkonzentration von dem Kanalgebiet zu den Drain- und Sourcegebieten zur Vermeidung des Hot Carrier Effects zu erhalten. Vorteilhafterweise wird eine Diffusion der Dotieratome während eines Oxidationsschritts eingeleitet, in dem die Dicke der Gateisolierschicht an deren Randbereichen vergrößert wird.