Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls mit einem doppelwandigen Tiegel

摘要

Die Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls (32) umfaßt einen doppelwandigen Tiegel (10) mit einer zwischen einer inneren Tiegelwand (14) und einer äußeren Tiegelwand (15) angeordneten thermischen Homogenisierungszone (19) und mit einer Tiegelinnenzone (11). Innerhalb dieser befinden sich ein Vorratsbereich (12) für einen Vorrat aus festem SiC (30) und ein Kristallbereich (13), in dem der SiC-Einkristall (32) auf einen SiC-Keimkristall (31) aufwächst. Außerhalb des Tiegels (10) ist eine induktive Heizeinrichtung (16) angeordnet. In der Homogenisierungszone (19) werden durch Spulenwicklungen (161) der induktiven Heizeinrichtung (16) erzeugte Inhomogenitäten einer Temperaturverteilung ausgeglichen.