| 摘要 |
<p>L'invention concerne un élément de photorésist comprenant un substrat, une couche résistante à la gravure et au moins une couche de photorésist préparée à partir d'une composition de photorésist renfermant (A) un polymère sélectionné dans le groupe constitué par a) un copolymère contenant du fluor et comprenant une unité de répétition dérivée d'au moins un composé éthyléniquement non saturé caractérisé en ce qu'au moins un composé éthyléniquement non saturé est polycyclique, b) un polymère ramifié contenant des groupes acides protégés, ledit polymère renfermant un ou plusieurs segments ramifiés chimiquement liés le long d'un segment de squelette linéaire, c) des fluoropolymères présentant au moins un groupe fluoroalcool de structure C(Rf)(Rf')OH, où Rf et Rf' sont des groupes fluoroalkyle identiques ou différents dotés de 1 à 10 atomes de carbone ou, ensemble, sont (CF2)n où n est compris entre 2 et 10, d) des homopolymères de vinyle amorphes de perfluoro(2,2-diméthyl-1,3-dioxole) ou CX2=CY2 où X=F ou CF3 et Y=-H ou des copolymères vinyle amorphes de perfluoro(2,2-diméthyl-1,3-dioxole) et CX2=CY2, et e) des polymères contenant du nitrile/fluoroalcool préparés à partir d'éthers de vinyle substitués ou non ; et (B) au moins un composant photoactif.</p> |
