Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit einem solchen Bipolartransistor,申请号DE19991058062-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit einem solchen Bipolartransistor
摘要
申请公布号	DE19958062(C2)	申请公布日期	2002.06.06
申请号	DE19991058062	申请日期	1999.12.02
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	STENGL, REINHARD;MEISTER, THOMAS F.;SCHAEFER, HERBERT;FRANOSCH, MARTIN;BOECK, JOSEF;KLEIN, WOLFGANG
分类号	H01L21/331;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331;H01L21/822;H01L27/082	主分类号	H01L21/331
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