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Ein Leistungswandler umfasst separat eine erste Halbleitervorrichtung (2) und eine zweite Halbleitervorrichtung (3). In der ersten Halbleitervorrichtung (2) sind ein Umrichtelement wie beispielsweise ein IGBT (19), Zenerdioden (20, 21), eine Wellenform gestaltende Schaltung (30), ein Wärmeabschaltkreis (31) und ein Schutzelement (14) auf demselben Chip unter Verwendung eines Siliziumsubstrats des P-Typs ausgebildet. In der zweiten Halbleitervorrichtung (3) ist eine Schmidt-Schaltung (9), eine Netzschaltung (10), eine Hochspannungserfassungsschaltung (11), ein Schutzelement (13), eine Gatterschaltung (16) und eine durch einen PNP-Transistor (17) gebildete Ausgangsschaltung auf demselben Chip unter Verwendung eines Siliziumsubstrats des P-Typs ausgebildet. Auf diese Weise wird ein Leistungswandler erzielt, der den Schaltungsumfang insgesamt verringern kann.
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