发明名称 一种双绝缘层薄膜场发射阴极
摘要 一种双绝缘层薄膜场发射阴极,属于真空电子发射型平板显示器件技术领域,特别涉及一种薄膜场发射阴极。本发明包含玻璃基板、下电极层、绝缘层和上电极层,其中绝缘层是由上下两层绝缘薄膜构成。通常,下绝缘层是非结晶绝缘薄膜,上绝缘层是结晶绝缘薄膜。下电极层可以由双层金属薄膜构成,也可以由金属和半导体双层薄膜构成;上电极层可以由双层金属薄膜构成,也可以由金属和半导体双层薄膜构成。本发明的薄膜场发射阴极解决了现有技术中发射电流小的问题,电子发射率大于0.5%,满足了高亮度场发射平板显示器件的使用要求,同时,器件电容较低,器件中非晶薄膜耐压较高,寿命长,达到实用水平。
申请公布号 CN1352462A 申请公布日期 2002.06.05
申请号 CN01140446.9 申请日期 2001.12.07
申请人 清华大学;上海广电电子股份有限公司 发明人 李德杰;万媛;卜东生;王红光
分类号 H01J1/304 主分类号 H01J1/304
代理机构 代理人
主权项 1、一种双绝缘层薄膜场发射阴极,包含玻璃基板、下电极层、绝缘层和上电极层,其特征在于所说的绝缘层是由上下两层绝缘薄膜构成。
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