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发明名称
CZOCHRALSKI PROCESS FOR GROWING SINGLE CRYSTAL SILICON BY CONTROLLING THE COOLING RATE
摘要
申请公布号
KR20020042689(A)
申请公布日期
2002.06.05
申请号
KR1020027003802
申请日期
2002.03.22
申请人
发明人
分类号
C30B15/00
主分类号
C30B15/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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