| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有一端系与电极垫作电性上的连接之主导体层,该主导体层上有开口处之绝缘层,及藉由该开口处与上述主导体层作电性上的连接之突起电极,其特征系由上述开口处所露出之上述的主导体层上,包含着介于上述主导体层与上述突起电极之间的金属层。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中之突起电极包含锡或是以锡为主成分之金属,且上述的金属层包含金或是以金为主成分之金属。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中之金属层的厚度在0.003m至1m之间。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中之突起电极包含锡或是以锡为主成分之金属,而上述之金属层包含由无电解电镀所形成之Ni或是以Ni为主成分的金属之Ni层,及在该Ni层上形成的包含金或是以金为主成分之金属之金层。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中的金层的厚度在0.003m至1m之间。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中之突起电极,从上述开口处所突出的部分较上述开口处的面积大。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中之主导体层包含铜或是以铜为主成分之金属。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中之主导体层的上面全体,具有Ni或是以Ni为主成分金属之阻障金属层。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中之阻障金属层覆盖着上述主导体层的侧面。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述主导体层的下面,具有底部金属层,其包含Ti,Ti-W,Cr,或是以其中任一种为主成分金属。11.一种半导体装置的制造方法,其包含在形成有复数的电极垫及该电极垫上具有第1开口虚的第1绝缘层之半导体基板上形成底部金属层的步骤、在该底部金属层上形成具感光性的第1光阻的步骤、在该第1的光阻上形成多数个第1光阻开口处以露出上述电极垫的步骤、在上述第1光阻开口处内形成半导体层的步骤、去除上述第1光阻的步骤、以上述主导体层作光罩以去除上述底部金属层的步骤、形成覆盖上述第1绝缘层与上述主导体层之具感光性的第2绝缘层的步骤、在上述主导体层的上方覆盖有上述第2绝缘层的之处,形成露出上述主导体层之第2开口处的步骤、在上述第2开口处露出之上述主导体层上形成金属层之步骤、及在上述金属层上设置突起电极的步骤。12.如申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其中在形成上述主导体层的步骤之后,具有使用光罩图案进行曝光以扩大上述第1光阻开口处之步骤,及在扩大后之上述第1光阻开口处内形成阻障金属层的步骤。13.如申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其中在去除上述底部金属层的步骤之后,具有用与上述主导体层相异之材料以无电解电镀法在主导体层上形成的步骤。14.一种半导体装置的制造方法,其包含在形成有复数的电极垫及该电极垫上具有第1开口处的第1绝缘层之半导体基板上形成底部金属层的步骤、在该底部金属层上形成具感光性的第二光阻的步骤、在该第1光阻上形成多数个第1光阻开口处以露出上述电极垫的步骤、在上述第1光阻开口处内形成主导体层的步骤、去除上述第1光阻的步骤、以上述主导体层作光罩以去除上述底部金属层的步骤、形成覆盖上述第1绝缘层与上述主导体层之第2绝缘层的步骤、在上述第2绝缘层上形成第2光阻的步骤、在第2光阻上形成多数个露出主导体层之第2光阻开口处的步骤、以上述第2光阻作光罩,在上述主导体层的上方覆盖有上述第2绝缘层之处,形成露出上述主导体层之第2开口处的步骤、在由上述第2开口处所露出之上述主导体层上形成金属层的步骤、去除上述第2光阻的步骤、及在上述金属层上设置突起电极之步骤。15.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其具有在形成上述主导体层的步骤之后,使用光罩图案来进行曝光以扩大上述第1光阻开口处的步骤,及在扩大后之上述第1光阻开口处内形成阻障金属层的步骤。16.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其具有在去除上述底部金属层的步骤之后,用与上述主导体层相异之材料进行无电解电镀在主导体层上形成之步骤。图式简单说明:图1是说明本发明的实施形态1中之半导体装置的重点构造的剖面图。图2(a)-图2(f)是说明制作上述半导体装置的步骤流程图。图3(a)-图3(c)是说明制作上述半导体装置的其他步骤的部份步骤流程图。图4是说明本发明的实施形态2中之半导体装置的重点构造的剖面图。图5(a)-图5(f)是说明制作上述半导体装置的步骤流程图。图6是说明本发明的实施形态2中之其他的半导体装置的重点构造的剖面图。图7(a)-图7(c)是说明制作上述半导体装置的步骤流程图。图8(a)-图8(d)是说明制作上述半导体装置之其他步骤的部份的步骤流程图。图9是说明先前的半导体装置的重点构造的剖面图。 |
