| 主权项 |
1.一种导线架晶片座凹洞结构制作方法,可用以在一导线架的晶片座上,制作出一窄口式之凹洞结构;此方法之步骤包含:(1)于该晶片座上之一预定位置上,形成一向内渐窄式之凹洞结构;以及(2)于该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分上,进行一冲压制程,藉以将该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分朝向该向内渐窄式凹洞结构的中心挤压,致使该向内渐窄式凹洞结构之开口窄化成所欲形成之窄口式凹洞结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(1)中,系采用一蚀刻制程来形成该向内渐窄式凹洞结构。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该该步骤(1)中,系采用一冲压制程来形成该向内渐窄式凹洞结构。4.一种导线架晶片座凹洞结构制作方法,可用以在一导线架的晶片座上,制作出一窄口式之凹洞结构;此方法之步骤包含:(1)于该晶片座上之一预定位置上,进行蚀刻制程,藉以形成一向内渐窄式之凹洞结构;以及(2)于该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分上,进行一冲压制程,藉以将该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分朝向该向内渐窄式凹洞结构的中心挤压,致使该向内渐窄式凹洞结构之开口窄化成所欲形成之窄口式凹洞结构。5.一种导线架晶片座凹洞结构制作方法,可用以在一导线架的晶片座上,制作出一窄口式之凹洞结构;此方法之步骤包含:(1)于该晶片座上之一预定位置上,进行一第一冲压制程,藉以形成一向内渐窄式之凹洞结构;以及(2)于该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分上,进行一第二冲压制程,藉以将该向内渐窄式凹洞结构之开口周围的晶片座部分朝向该向内渐窄式凹洞结构的中心挤压,致使该向内渐窄式凹洞结构之开口窄化成所欲形成之窄口式凹洞结构。图式简单说明:第1图(习知技术)显示一封装后之积体电路装置的剖面示意图;第2A图(习知技术)为一剖面示意图,其显示一导线架晶片座上,利用蚀刻方法所形成之凹洞结构;第2B图(习知技术)为一剖面示意图,其显示一导线架晶片座上,利用冲压方法所形成之凹洞结构;第3A至3C图为一组剖面示意图,其显示本发明之第一实施例;以及第4A至4C图为一组剖面示意图,其显示本发明之第二实施例。 |
