液晶显示装置及其制造方法

摘要

本发明乃揭示一种液晶显示面板，其可适用于横电场驱动的宽萤幕。此液晶显示装置是由表面有以矩阵形式排列的TFT作为主动开关单元并且表面覆盖有一配向膜的阵列基板构成。在其所面对的对面基板上并排列有一彩色滤光片、一光遮蔽膜以及红、绿、蓝色层，而除了被光遮蔽层所覆盖的区域外，其他区域均被转变成显示画素区，而对面基板的所有表面则以一配向膜覆盖。在显示画素区中的液晶分子层厚度g是以大于细胞内的间隔物方式形成，上被光遮蔽层覆盖的色层之液晶分子层厚度是小于该些间隔物之方式制造。这些重叠层的液晶分子层厚度是保持在压缩状态。也就是说，此阶梯构形是形成于红(R2)、绿(G2)和蓝色(B2)层之显示画素区和具有R1、R2和R3构成之光遮蔽层的重叠色层。因此，液晶分子将不会沿不规则方位运动，并且可避免光遗漏现象。同时，藉由条肘扫层之投影，便可排除IPS型非晶矽TFT液晶显示面板之影像残留现象。

主权项

1.一种液晶显示面板,其包括有:一阵列基板,其具有配置成矩阵形式的开关单元以及形成于最上层之配向(orientation)膜;一对面基板,其具有一光遮蔽层、复数彩色层以及在上述层之最上层和上述彩色层上之配向膜,其中不包含覆盖上述光遮蔽层之区域系做为显示区域;以及一液晶层,形成于上述阵列基板和上述对面基板之间;其中,形成于上述显示区域的液晶分子层厚度是大于间隔物的直径;并且形成于覆盖上述光遮蔽层之上述彩色层的区域之液晶分子层厚度是小于上述间隔物的直径,藉以使得在该较小液晶分子层厚度内之间隔物,在与上述阵列基板之间维持在被压缩的状态。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中上述彩色层所形成的高度比上述显示区域高,使得上述液晶分子层厚度在上述显示区域和上述彩色层之间形成一阶梯。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示面板,其中上述彩色层区域是形成条纹状。4.如申请专利范围第2项所述之液晶显示面板,其中突出之上述彩色层的高度是由使得上述配向膜之偏光异方性落在一预定的値内的方式所决定。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中上述间隔物在上述显示区域内的液晶分子层厚度内可自由移动。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示面板,其中上述液晶显示面板的结构用以抑制液晶分子的不规则配列,并且可藉由给予上述液晶一限制力而将液晶分子限制于一特定的方向而排除露光现象。7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该阵列基板是一种薄膜电晶体基板,并且其中薄膜电晶体系做为开关单元,藉以做为一种主动矩阵显示系统进行操作。8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示面板,其中上述薄膜电晶体是形成于位在上述阵列基板之上述层最上层表面,且形成于上述薄膜电晶体和对面基板之彩色层凹陷区域的液晶分子层厚度是小于细胞内间隔物的直径。9.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该液晶显示面板可被放大成大于对角线为14.1寸的宽影像区域。10.如申请专利范围第9项所述之液晶显示面板,其中该液晶显示面板可被横电场(IPS)驱动。11.一种制造液晶显示面板的方法,其步骤包括在两基板间插入一液晶层,其中之一基板是阵列基板,其具有配置成矩阵形式之开关单元以及涂布于最上层之配向膜,而另一基板则是作为滤光片的对面基板,其具有被彩色层涂布但是不被光遮蔽层覆盖之显示画素区以及涂布于上述层最上层之配向膜;其中,在对面基板表面,形成于显示画素区内的液晶分子层厚度是大于插在细胞内的间隔物,并且形成于包含光遮蔽层之彩色层区域的液晶分子层厚度是小于上述间隔物,使得上述液晶分子层厚度是形成一阶梯状,且较高的显示画素区和较低的彩色层之间的高度差是由使得配向膜的偏光异方性可成为一预定値之方式所决定。图式简单说明:第1(a)和第1(b)图显示的是根据本发明之一液晶示面板实施例的平视图,其显示的是一种IPS型a-Si薄膜电晶体已经显示面板之阵列基板和对面基板。第2(a)图和第2(b)图则是沿第1(a)图之剖面线A-A和第2(b)图之剖面线B-B剖开之剖面图。第3图显示的是液晶分子层厚度和漏光间隔物占据比例之间的关系图。第4图显示的是在根据本发明之另一实施例中的细胞突出的高度和影像残留(post-image)时间以及偏光异方性。第5图显示的是揭示于日本专利申请案(第一公开号平8-62606)中的习知例图式。第6图显示的是揭示于日本专利申请案(第一公开号平8-62606)中的习知例图式。