| 主权项 |
1.一种微电子结构,其具有─一基板(5);─一含矽层(8,20);以及─一氧阻障层(30);其特征为:在含矽层(8,20)与氧阻障层(30)之间是含氧之铱层(25),其可借助于一溅镀法(sputtern)而于含氧氛围中制成,其中在此氛园中氧之体积成份是介于2.5%与15%之间。2.如申请专利范围第1项之微电子结构,其中此含氧之铱层(25),可在至少250℃的温度中制成。3.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中在此氛围中氧的体积成份是在大约5%左右。4.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此氧阻障层(30)是由一种导电金属氧化物所构成。5.如申请专利范围第3项之微电子结构,其中此氧阻障层(30)是由一种导电金属氧化物所构成。6.如申请专利范围第4项之微电子结构,其中此导电金属氧化物是由铱氧化物或钌氧化物所构成。7.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由多晶矽或是由至少一种金属矽化物所构成。8.如申请专利范围第3项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由多晶矽或是由至少一种金属矽化物所构成。9.如申请专利范围第6项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由多晶矽或是由至少一种金属矽化物所构成。10.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由一个多晶矽层(8)与至少一个金属矽化物层(20)所构成,其中此金属矽化物层(20)是位于多晶矽层(8)与含氧之铱层(25)之间。11.如申请专利范围第3项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由一个多晶矽层(8)与至少一个金属矽化物层(20)所构成,其中此金属矽化物层(20)是位于多晶矽层(8)与含氧之铱层(25)之间。12.如申请专利范围第6项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是由一个多晶矽层(8)与至少一个金属矽化物层(20)所构成,其中此金属矽化物层(20)是位于多晶矽层(8)与含氧之铱层(25)之间。13.如申请专利范围第7项之微电子结构,其中此金属矽化物包括以下组的矽化物之至少一种:矽化钇、矽化钛、矽化锆、矽化铪、矽化钒、矽化铌、矽化铬、矽化钼、矽化钨、矽化铁、矽化钴、矽化镍、矽化钯、矽化铂、与矽化铜。14.如申请专利范围第10项之微电子结构,其中此金属矽化物包括以下组的矽化物之至少一种:矽化钇、矽化钛、矽化锆、矽化铪、矽化钒、矽化铌、矽化铬、矽化钼、矽化钨、矽化铁、矽化钴、矽化镍、矽化钯、矽化铂、与矽化铜。15.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是埋入于基板(5)中,并且由一含氧之铱层(25)完全覆盖。16.如申请专利范围第7项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是埋入于基板(5)中,并且由一含氧之铱层(25)完全覆盖。17.如申请专利范围第13项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)是埋入于基板(5)中,并且由一含氧之铱层(25)完全覆盖。18.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)与此含氧之铱层(25)一同埋入基板(5)中,并且完全由氧阻障层(30)覆盖。19.如申请专利范围第10项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)与此含氧之铱层(25)一同埋入基板(5)中,并且完全由氧阻障层(30)覆盖。20.如申请专利范围第13项之微电子结构,其中此含矽层(8,20)与此含氧之铱层(25)一同埋入基板(5)中,并且完全由氧阻障层(30)覆盖。21.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中此含氧之铱层(25)具有大约10至100奈米(nm)之厚度,较佳是大约20奈米(nm)至50奈米(nm)的厚度。22.如申请专利范围第13项之微电子结构,其中此含氧之铱层(25)具有大约10至100奈米(nm)之厚度,较佳是大约20奈米(nm)至50奈米(nm)的厚度。23.如申请专利范围第18项之微电子结构,其中此含氧之铱层(25)具有大约10至 100奈米(nm)之厚度,较佳是大约20奈米(nm)至50奈米(nm)的厚度。24.如申请专利范围第1或2项之微电子结构,其中含金属电极层(35)将氧阻障层(30)覆盖。25.如申请专利范围第13项之微电子结构,其中含金属电极层(35)将氧阻障层(30)覆盖。26.如申请专利范围第21项之微电子结构,其中含金属电极层(35)将氧阻障层(30)覆盖。27.如申请专利范围第24项之微电子结构,其中此含金属电极层(35)由一含金属氧化物层(40)所覆盖;28.一种微电子结构,其特征为具有:─一基板(5);─一含矽层(8,20);─一氧阻障层(30);─一在含矽层(8,20)与氧阻障层(30)之间是含氧之铱层(25),其中此含氧之铱层(25)借助于溅镀法(sputtern)而可于含氧氛围中制成,并且在此含氧氛围中氧之体积成份是在2.5%与15%之间;─一个完全覆盖此含氧之铱层(25)之IrO2层(30);以及─一个配置于IrO2层(30)上的铂层(35)。29.一种微电子结构,其特征为具有:─一基板(5);─一含矽层(8,20);─一氧阻障层(30);─一在含矽层(8,20)与氧阻障层(30)之间是含氧之铱层(25).其中此含氧之铱层(25)借助于溅镀法(sputter)而可在一含氧氛围与至少250℃的温度中制成,并且在此含氧氛围中氧之体积成份是在2.5%与15%之间;─一完全覆盖此含氧之铱层(25)之IrO2层(30);以及─一个配置于IrO2层(30)上的铂层(35)。30.一种制造微电子结构的方法,其中此电子结构具有一基板(5)与一含氧之铱层(25),其特征为:此含氧之铱层(25)借助于溅镀法(sputtern),在一含氧的氛围与至少250℃的温度中沈积,其中在此氛围中氧的体积成份是在2.5%与15%之间。31.如申请专利范围第30项之方法,其中此含氧之铱层(25)是在至少250℃的温度中沈积。32.如申请专利范围第30或第31项之方法,其中在此氛围中氧的体积成份是大约5%。33.如申请专利范围第30或31项之方法,其中此含氧之铱层(25)是在介于0.005毫巴(mbar)与0.02毫巴的压力中涂布。34.如申请专利范围第32项之方法,其中此含氧之铱层(25)是在介于0.005毫巴(mbar)与0.02毫巴的压力中涂布。35.如申专利范围第1或2项之微电子结构,其中此微电子结构是包含于半导体记忆体装置中,其具有至少一第一电极(115)与一第二电极(45)以及介其间的一含金属氧化物层(40),其共同构成一记忆体电容器(75),其中此含氧之铱层(25)与氧阻障层(30)共同成为半导体记忆体装置之第一电极(115)之一部份。图式简单说明:第1a至1e图是制造微电子结构之个别的方法步骤。第2a至2f图是制造微电子结构之其他的方法步骤。第3图是微电子结构,其作为半导体记忆装置的一部份。第4图是取决于温度负载的含氧铱层的特殊电阻。第5图是取决于在淀积之氛围中,取决于氧成份之含氧铱层之特殊电阻。第6图是取决于淀积温度之含氧铱层在电化矽层上之附着强度。第7图是取决于淀积温度之含氧铱层在氧化矽层上之附着强度。第8与9图是对所淀积之含氧铱层之X-光结构之研究调查之结果。 |
