| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含至少第一,第二及第三半导体晶粒,各具有反向的表面,该表面包含对应的电极;一导电导架,包含第一及第二分开的晶粒垫片区域,该第一及第二半导体晶粒配置在该第一晶粒垫片上,且该第三半导体晶粒配置在该第二晶粒垫片上;第一之多个插脚,与该第一晶粒垫片的一边缘整合在一起,且从该边缘上延伸出来;第二之多个插脚,其与该第二晶粒垫片的一边缘整合在一起,且从该边缘上延伸出来;第三之多个插脚,此第三之多个插脚彼此分开,且与该第一及第二晶粒垫片分开;第一之多个结合线,将该第一半导体晶粒的一表面连接到该第三之多个插脚中至少一插脚;第二之多个结合线,将该第三半导体晶粒之一表面连接到该第三之多个插脚中至少另一插脚;以及一外壳,用于包封该导架,半导体晶粒及结合线,该第一,第二及第三之多个插脚延伸到该外壳的周边之外以与外部装置连接。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该外壳,及第一,第二及第三之多个插脚符合SO-8封装标准。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二及第二之多个插脚沿外壳的共同边缘配置。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该第三之多个插脚沿该外壳的反向之共用边缘配置。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一及第二晶粒为金氧半场效电晶体(MOSFET)晶粒,各具有一源极,一汲极及一闸极电极;与对应的第一及第二晶粒垫片区域接触的第一及第二金氧半场效电晶体晶粒的表面为汲极电极;以及该第一及第二金氧半场效电晶体晶粒的对应源极及闸极电极连接该第三之多个插脚中对应的插脚。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该第二半导体晶粒为萧基二极体晶粒,而第二半导体晶粒的反向表面为一萧基二极体晶粒,该第二半导体晶粒的反向表面包含该萧基二极体的阴极电极,该萧基二极体耦合该第一晶粒垫片,使得萧基二极体的阴极电极电连接该第一金氧半场效电晶体晶粒的汲极电极,且连接该第一之多个插脚,该萧基二极体晶粒的反向表面包含一阳极电极。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该萧基二极体晶粒的阳极电极经结合线耦合该第一金氧半场效电晶体晶粒的源极电极。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该外壳,及第一,第二及第三之多个插脚符合SO-8封装标准。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该第一及第二之多个插脚沿外壳的共用边缘配置。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该第三之多个插脚沿外壳的反向共用边缘配置。11.如申请专利范围第1项之装置,其中该第三之多个插脚中的各插脚具有一放大的结合垫片区,此区与其他区及对应的晶粒垫片区共平面。12.一种半导体装置,包含第一及第二金氧半场效电晶体晶粒,各具有反向表面,其包含对应的汲极,源极及闸极电极;一具有反向表面的萧基二极体晶粒,此晶粒包含对应的阳极及阴极电极;一导电的导架,包含第一及第二分开的晶粒垫片区,该第一金氧半场效电晶体晶粒及萧基二极体晶粒配置在第一晶粒垫片上,使得其汲极及阴极电极电耦合到该晶粒垫片上,且该第二金氧半场效电晶体晶粒配置在该第二晶粒垫片上,使得其汲极电极电耦合到其上;第一之多个插脚,与该第一晶粒垫片的一边缘整合在一起,且从该边缘上延伸出来;第二之多个插脚,其与该第二晶粒垫片的一边缘整合在一起,且从该边缘上延伸出来;第三之多个插脚,此第三之多个插脚彼此分开,且与该第一及第二晶粒垫片分开;一第一之多个结合线.连接该第一金氧半场效电晶体晶粒的源极电极到该第三之多个插脚中至少一插脚;一第二之多个结合线,连接该第二金氧半场效电晶体晶粒的源极电极到该第三之多个插脚中至少另一插脚;以及一外壳,用于包封该导架,金氧半场效电晶体,萧基二极体晶粒,及结合线,该第一,第二及第三之多个插脚延伸到该外壳的周边外,以与外部装置连结。13.如申请专利范围第12项之装置,其中该萧基二极体的阳极经该该结合线耦合到该第一金氧半场效电晶体晶粒的源极电极。14.如申请专利范围第12项之装置,其中该外壳,及第一,第二及第三之多个插脚符合SO-8封装标准。15.如申请专利范围第12项之装置,其中该第一及第二之多个插脚沿外壳所共同边缘配置。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该第三之多个插脚沿该外壳的反向之共用边缘配置。17.如申请专利范围第12项之装置,其中该第三之多个插脚中的各插脚具有一放大的结合垫片区,此区与其他区及对应的晶粒垫片区共平面。图式简单说明:图1为一习知之反极性转换器电路的电路图。图2的电路图示本发明中使用的串联金氧半场效电晶体,并联金氧半场效电晶体,及萧基二极体。图3为SO-8类型之封装的透视图,其可使用于包封依据本发明实施例之图二中的金氧半场效电晶体晶粒及萧基二极体。图4为图3之封装及图4电路的示意图。图5为图3及4之封装导架的上视图,其中金氧半场效电晶体晶粒及萧基二极体固定到该导架上。 |
