| 主权项 |
1.一种荫蔽罩,其特征为具备:具形成有多数电子束通过孔之罩有效部与设于该罩有效部之周缘之隔电子外裙部的罩本体;及配置于上述隔电子外裙部之外侧,同时电阻熔接于上述隔电子外裙部复数部位的罩框;及上述隔电子外裙部系具备抵接于上述罩框之外面,及位于与该外面相反侧之内面,及在上述各熔接部位,形成于电阻熔接用之电极所抵接之上述隔电子外裙部之内面部分,同时分别具有比上述电极之抵接面面积更小面积之复数凹处或凸部之至少一方。2.如申请专利范围第1项所述之荫蔽罩,其中,上述隔电子外裙部系在上述各熔接部位,具备形成于上述外面,同时分别具有比上述电极之抵接面面积小之面积以复数凹处或凸部之至少一方。3.如申请专利范围第1项所述之荫蔽罩,其中,上述凹处或凸部系上述电极之抵接面与上述隔电子外裙部内面之接触面积,形成成为上述电极之抵接面面积约50%至10%之节距及直径。4.如申请专利范围第1项所述之荫蔽罩,其中,上述罩本体系具有覆盖其表面整体之氧化膜;上述罩框系具有覆盖其表面整体之氧化膜。5.一种阴极射线管,其特征为:具备萤光体屏蔽设于内面之面板;及相对向于上述萤光体屏蔽所设置之荫蔽罩;及经由上述荫蔽罩将电子束照射在上述萤光体屏蔽之电子枪;上述荫蔽罩系具备:具形成有多数电子束通过孔之罩有效部与设于该罩有效部之周缘之隔电子外裙部的罩本体;及配置于上述隔电子外裙部之外侧,同时电阻熔接于上述隔电子外裙部复数部位的罩框;及上述隔电子外裙部系具备抵接于上述罩框之外面,及位于与该外面相反侧之内面,及在上述各熔接部位,形成于电阻熔接用之电极所抵接之上述隔电子外裙部之内面部分,同时分别具有比上述电极之抵接面面积更小面积之复数凹处或凸部之至少一方。6.如申请专利范围第5项所述之阴极射线管,其中,上述隔电子外裙部系在上述各熔接部位,具备形成于上述外面,同时分别具有比上述电极之抵接面面积小之面积的复数凹处或凸部之至少一方。7.如申请专利范围第5项所述之阴极射线管,其中,上述凹处或凸部系上述电极之抵接面与上述隔电子外裙部内面之接触面积,形成成为上述电极之抵接面面积约50%至10%之节距及直径。8.如申请专利范围第5项所述之阴极射线管,其中,上述罩本体系具有覆盖其表面整体之氧化膜;上述罩框系具有覆盖其表面整体之氧化膜。9.一种荫蔽罩之制造方法,其特征为:准备具有形成有多数电子束通过孔之罩有效部及设于该罩有效部之周缘,同时复数凹处或凸部之至少一方形成于内面之隔电子外裙部的罩本体;在上述隔电子外裙部之外侧重叠配置罩框;在所定熔接位置,藉抵接于形成有上述复数凹处或凸部之至少一方之上述隔电子外裙部内面的第一电极及抵接于罩框之外面的第二电极,以所定压力夹持上述隔电子外裙部及罩框;通电于上述第一及第二电极间,电阻熔接上述隔电子外裙部及罩框。10.如申请专利范围第9项所述的荫蔽罩之制造方法,其中,将上述复数凹处或凸部之至少一方,及上述电子束通过孔籍同一蚀刻工程形成于上述罩本体。11.如申请专利范围第9项所述的荫蔽罩之制造方法,其中,上述凹处或凸部系分别具有比上述第一电极之抵接面面积小之面积。12.如申请专利范围第9项所述的荫蔽罩之制造方法,其中,上述凹处或凸部系上述第一电极之抵接面与上述隔电子外裙部内面之接触面积,形成成为上述第一电极之抵接面面积约50%至10%之节距及直径。13.如申请专利范围第10项所述的荫蔽罩之制造方法,其中,将上述复数凹处或凸部之至少一方,及上述电子束通过孔藉蚀刻工程形成于上述罩本体之后,以氧化膜覆盖上述罩本体之外面。14.一种荫蔽罩之制造方法,其特征为:准备具有形成有多数电子束通过孔之罩有效部及设于该罩有效部之周缘之隔电子外裙部的罩本体;在上述隔电子外裙部之外侧重叠配置罩框;在所定熔接位置,藉抵接于上述隔电子外裙部之内面的第一电极及抵接于罩框之外面的第二电极,以所定压力夹持上述隔电子外裙部及罩框;以溅射捕捉用盖部包围上述第一电极与隔电子外裙部内面之接触部及上述第一电极之周围;通电于上述第一及第二电极间,电阻熔接上述隔电子外裙部及罩框。15.如申请专利范围第14项所述的荫蔽罩之制造方法,其中,将冷却媒体供应于藉由上述盖体所包围之部分,一面冷却上述第一电极一面施行上述电阻熔接。16.一种荫蔽罩之制造装置,其特征为具备:支持具形成有多数电子束通过孔之罩有效部与设于该罩有效部之周缘之隔电子外裙部的罩本体,及重叠配置于上述隔电子外裙部之外侧的罩框的支持部;及在所定熔接位置,电阻熔接上述隔电子外裙部与上述罩框的熔接头;该熔接头系具备:抵接于上述隔电子外裙部之内面的第一电极,及抵接于上述罩框之外面的第二电极,及藉上述第一及第二电极以所定压力夹持上述隔电子外裙部及罩框的推压部,及包围上述第一电极与隔电子外裙部内面之接触及上述第一电极之周围的溅射捕捉用盖体。17.如申请专利范围第16项所述的荫蔽罩之制造装置,其中,具有将冷却媒供应于盖体所包围之部分,并冷却上述第一电极的供应部。图式简单说明:第1图系表示本发明之实施例之阴极射线管的剖面图。第2图系表示上述阴极射线管之荫蔽罩之一部分的立体图。第3图系表示上述荫蔽罩之熔接部及电子束通过孔部分的剖面图。第4图系表示局部切剖本发明之实施例之熔接装置的侧视图。第5图系表示上述熔接装置之加压用电极的分解立体图。第6图系表示上述荫蔽罩之熔接部及上述加压用电极的剖面图。第7图系表示上述加压用电极抵接于上述荫蔽罩之熔接部之状态的剖面图。第8图系表示上述加压用电极之变形例的分解立体图。第9图系表示点熔接上述荫蔽罩之罩本体之隔电子外裙部与罩框之工程的剖面图。第10图系放大表示上述隔电子外裙部内面与加压用电极之接触部的剖面图。第11图系放大表示上述隔电子外裙部内面之一部分的俯视图。第12图系表示在上述隔电子外裙部内面设置凸部时之变形例的俯视图。第13图系表示在上述荫蔽罩的隔电子外裙部之两面设置凹处时之熔接部的剖面图。第14图系表示荫蔽罩之熔接部之熔接条件与溅射发生量之关系的图表。第15图系表示荫蔽罩之熔接部之熔接条件与熔接状态之良否之关系的图表。第16图系表示荫蔽罩之熔接部之熔接条件与熔接状态之灵敏度之关系的图表。第17图系表示比较在上述熔接部设置凹处之情形与未设置凹处之情形所发生之溅射大小的图表。 |
