| 主权项 |
1.一种半导体装置,于该半导体装置上至少具有一半导体元件与一导线,其特征包括:一第一分割焊垫电极,经由该导线与该半导体元件进行电性连接;一第二分割焊垫电极,位于该第一分割焊垫电极之周围,且于该第二分割焊垫与该第一分割焊垫之间设置有一间隙,该第二分割焊垫电极与该半导体元件之间没有电性连接;一保护膜,覆盖于该第二分割焊垫电极之部份表面上;以及一未分割焊垫电极,覆盖于未覆盖有该保护膜之该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极之表面上。2.一种半导体装置,于该半导体装置上至少具有一半导体元件与一导线,且具有经由该导线与该半导体元件进行电性连接的一第一分割焊垫电极;以及位于该第一分割焊垫电极之周围之一第二分割焊垫电极,且于该第二分割焊垫与该第一分割焊垫之间设置有一间隙,该第二分割焊垫电极与该半导体元件之间没有电性连接,其特征包括:一焊垫电极,层叠于该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极之上。3.一种半导体装置,于该半导体装置上至少具有一信号线与一电源线,其特征包括:一分割焊垫电极,位于该信号线用的焊垫电极之至少一部份,且该分割焊垫电极包括有经由该信号线与一半导体元件进行电性连接的一第一分割焊垫电极及位于该第一分割焊垫电极之周围且与该半导体元件之间没有电性连接的一第二分割焊垫电极,其中于该第二分割焊垫与该第一分割焊垫之间设置有一间隙;以及一未分割焊垫电极,位于该电源线用的焊垫电极,且经由该电源线与该半导体元件进行电性连接。4.一种半导体装置,于该半导体装置上至少具有一半导体元件与一导线,具有经由该导线与该半导体元件进行电性连接的岛状的一第一分割焊垫电极;位于该第一分割焊垫电极之周围之一第二分割焊垫电极,且于该第二分割焊垫与该第一分割焊垫之间设置有一间隙,该第二分割焊垫电极与该半导元件之间没有电性连接;覆盖于该第二分割焊垫电极之部份表面上之一保护膜;设于由该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极所形成之一焊垫电极之暴露表面上的一连接材料,其特征包括:该连接材料与该焊垫电极之一接触面系围绕形成于该第二分割焊垫之内周。5.一种半导体装置,于该半导体装置上至少具有一半导体元件与一导线,具有经由该导线与该半导体元件进行电性连接的一第一分割焊垫电极;位于该第一分割焊垫电极之周围之一第二分割焊垫电极,且于该第二分割焊垫与该第一分割焊垫之间设置有一间隙,该第二分割焊垫电极与该半导体元件之间没有电性连接;覆盖于该第二分割焊垫电极之部份表面上之一保护膜,其特征包括:于该保护膜之同一的开口内暴露出该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极之表面。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该未分割焊垫电极之形成方法系选自于化学机械研磨法与湿蚀刻法两者之一。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极系设有复数个。8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极系为镶嵌结构。9.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极系设有复数个。10.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极系为镶嵌结构。11.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极系设有复数个。12.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极系为镶嵌结构。13.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极系设有复数个。14.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极系为镶嵌结构。15.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极系设有复数个。16.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中该第一分割焊垫电极与该第二分割焊垫电极系为镶嵌结构。图式简单说明:第1图所示为本发明之第一较佳实施例之半导体装置的斜视示意图。第2图所示为本发明之第一较佳实施例之半导体装置的截面示意图。第3图所示为本发明之第一较佳实施例之半导体装置上形成有打线的截面示意图。第4图所示为本发明之第一较佳实施例之半导体装置上形成有凸块的截面示意图。第5图所示为本发明之第一较佳实施例之半导体装置与探针接触时的截面示意图。第6图所示为本发明之第二较佳实施例之利用化学机械研磨法所形成之半导体装置的截面示意图。第7图所示为本发明之第二较佳实施例之半导体装置之制程的截面示意图。第8图所示为接续第7图之本发明之第二较佳实施例之半导体装置之制程的截面示意图。第9图所示为接续第8图之本发明之第二较佳实施例之半导体装置之制程的截面示意图。第10图所示为接续第9图之本发明之第二较佳实施例之半导体装置之制程的截面示意图。第11图所示为接续第10图之本发明之第二较佳实施例之半导体装置之制程的截面示意图。第12图所示为本发明之第二较佳实施例之利用湿蚀刻法所形成之半导体装置的截面示意图。第13图所示为本发明之第三较佳实施例之半导体装置之分割焊垫电极的平面示意图。第14图所示为沿着第13图所示之14-14线之半导体装置的截面示意图。第15图所示为习知枝术之半导体装置的斜视示意图。第16图所示为习知技术之半导体装置的斜视示意图。第17图所示为本发明之第四较佳实施例之半导体装置的斜视示意图。第18图所示为本发明之第五较佳实施例之分割焊垫电极图案的平面示意图。第19图所示为本发明之第六较佳实施例之半导体装置之模式的示意图。第20图所示为习知技术之半导体装置的斜视示意图。第21图所示为习知技术之半导体装置焊垫电极的平面示意图。 |
