| 主权项 |
1.一种半导体晶圆抛光端点检测系统,包含 当作具有预定波长之第一检验光光源之第一雷射 光源; 以预定直径和预定角度,将该第一检验光照射在该 晶圆上之第一放射装置; 当作波长不同于该第一检验光之第二检验光光源 的第二雷射光源; 以预定角度,将和该第一检验光相同直径之该第二 检验光,照射在相同照射位置之第二放射装置; 位在自该晶圆反射之该第一检验光的规则反射光 轴上,接收该规则反射光,然后输出第一光量讯号 之第一检光器; 位在自该晶圆反射之该第二检验光的规则反射光 轴上,接收规则反射光,然后输出第二光量讯号之 第二检光器; 用以接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后 每一个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以 离散方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号, 最后输出第一平均资料和第二平均资料之第一平 均装置和第二平均装置; 用以从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端 点检测操作失能,以防止因在开始抛光之后之立刻 抛光的抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之 前,和在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯 号变化之起始变化消除装置; 用以使用抛光端点检测操作失能,直到该第一平均 资料或该第二平均资料变成预定値或预定値的倍 数,使适合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动 而造成之讯号波动周期的波动之检测开始判断装 置; 用以在一从藉由起始变化消除装置使条件失能之 抛光端点检测,到藉由检测开始判断装置致能抛光 端点检测操作的期间,检测该第一平均资料和该第 二平均资料的最大値和平均値其中之一,以输出当 作第一参考光量値和第二参考光量値之第一参考 光量检测装置和第二参考光量检测装置; 用以计算该第一参考光量値和该第二参考光量値 的比率,然后将该第二平均资料乘以该第一参考光 量値和第二参考光量値的该比率,最后输出校正光 量资料之光量校正装置; 用以计算该第一平均资料和该校正光量资料之差, 然后输出当作光量差资料之光量差计算装置; 用以输出藉由该第一参考光量値乘以预定値所推 算之値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临 限値的第一临限値计算装置; 用以计算许多再追溯过去资料和在现在量测时间 之光量差资料的资料之平均値,和许多光量差资料 之过去资料的平均値之値,其平均梯度之第一平均 梯度计算装置;及 用以比较该第一平均梯度资料和该第一端点判断 临限値之値,而当该第一平均梯度资料之値预定连 续几次大于或等于该第一端点判断临限値时,当该 第一平均梯度资料之値,在该第一平均梯度资料之 绝对値变成大于或等于给定値之后,大于或等于该 第一端点判断临限値之次数大于或等于给定的总 次数时,或当该第一平均梯度资料之値变成大于或 等于该第一端点判断临限値的比率,大于或等于预 定比率时,作出晶圆抛光结束的判断之第一抛光端 点检测装置。2.如申请专利范围第1项之半导体晶 圆抛光端点检测系统,还包含位在该光量校正装置 和该光量差计算装置之间之时间和轴校正装置,用 以接收输出自光量校正装置之该校正光量资料,检 测在该第一平均资料以预定量从最大値减少之时 的该第一平均资料之値,和在第一平均资料以预定 量从最大値减少,而变成最小値之前和之后的该校 正光量讯号之値之间不同之时间,用以推算两个当 作补偿周期之时间的时间差,然后位移该校正光量 之时间轴,以推算将该第二校正光量资料输出到光 量差计算装置之补偿周期。3.一种半导体晶圆抛 光端点检测系统,包含 当作具有预定波长之第一检验光光源之第一雷射 光源; 以预定直径和预定角度,将该第一检验光照射在该 晶圆上之第一放射装置; 当作波长不同于该第一检验光之第二检验光光源 的第二雷射光源; 以预定角度,将和该第一检验光相同直径之该第二 检验光,照射在相同照射位置之第二放射装置; 位在自该晶圆反射之该第一检验光的规则反射光 轴上,接收该规则反射光,然后输出第一光量讯号 之第一检光器; 位在自该晶圆反射之该第二检验光的规则反射光 轴上,接收规则反射光,然后输出第二光量讯号之 第二检光器; 用以接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后 每一个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以 离散方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号, 最后输出第一平均资料和第二平均资料之第一平 均装置和第二平均装置; 用以从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端 点检测操作失能,以防止因在开始抛光之后之立刻 抛光的抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之 前,和在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯 号变化之起始变化消除装置; 用以使用抛光端点检测操作失能,直到该第一平均 资料或该第二平均资料变成预定値或预定値的倍 数,使适合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动 而造成之讯号波动周期的波动之检测开始判断装 置; 用以在一从藉由起始变化消除装置使条件失能之 抛光端点检测,到藉由检测开始判断装置致能抛光 端点检测操作的期间,检测该第一平均资料和该第 二平均资料的最大値和平均値其中之一,以输出当 作第一参考光量値和第二参考光量値之第一参考 光量检测装置和第二参考光量检测装置; 用以计算该第一平均资料和该第二平均资料之比 率,然后输出光量比率资料之光量比率计算装置; 用以计算许多再追溯过去资料和在现在量测时间 之该光量比率资料之平均値,和许多该光量差资料 之过去资料的平均値之値,其平均梯度之第一平均 梯度计算装置; 用以输出藉由该第一参考光量値乘上预定値所推 算之値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临 限値的第一临限値计算装置;及 用以比较该第一平均梯度资料和该第一端点判断 临限値之値,而当该第一平均梯度资料之値预定连 续几次大于或等于该第一端点判断临限値时,当该 第一平均梯度资料之値,在该第一平均梯度资料之 绝对値变成大于或等于给定値之后,大于或等于该 第一端点判断临限之次数大于或等于给定的总次 数时,或当该第一平均梯度资料之値变成大于或等 于该第一端点判断临限値的比率,大于或等于预定 比率时,作出晶圆抛光结束的判断之第一抛光端点 检测装置。4.如申请专利范围第3项之半导体晶圆 抛光端点检测系统,其中至少使用三个检验光当作 该检验光,各自由两个检验光组成之相互不同的组 合系平行使用,用以检测抛光端点。5.如申请专利 范围第3项之半导体晶圆抛光端点检测系统,其中 该第一抛光端点检测装置比较该第一平均梯度资 料之値和该第一端点判断临限値之値,而当该第一 平均梯度资料之値预定连续几次小于或等于该第 一端点判断临限値时,当该第一平均梯度资料之値 ,在该第一平均梯度资料之绝对値变成大于或等于 给定个之后,小于或等于该第一端点判断临限値之 次数大于或等于给定的总次数时,或当该第一平均 梯度资料之値变成小于或等于该一端点判断临限 値的比率,大于或等于预定比率时,作出晶圆抛光 结束的判断。6.一种半导体晶圆抛光端点检测系 统,包含 当作具有预定波长之第一检验光光源之第一雷射 光源; 以预定直径和预定角度,将该第一检验光照射在该 晶圆上之第一放射装置; 当作波长不同于该第一检验光之第二检验光光源 的第二雷射光源; 以预定角度,将和该第一检验光相同直径之该第二 检验光,照射在相同照射位置之第二放射装置; 位在自该晶圆反射之该第一检验光的规则反射光 轴上,接收该规则反射光,然后输出第一光量讯号 之第一检光器; 位在自该晶圆反射之该第二检验光的规则反射光 轴上,接收规则反射光,然后输出第二光量讯号之 第二检光器; 用以接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后 每一个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以 离散方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号, 最后输出第一平均资料和第二平均资料之第一平 均装置和第二平均装置; 用以从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端 点检测操作失能,以防止因在开始抛光之后之立刻 抛光的抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之 前,和在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯 号变化之起始变化消除装置; 用以使用抛光端点检测操作失能,直到该第一平均 资料或该第二平均资料其中之一变成预定値或预 定値的倍数,使适合在抛光的起始阶段,因抛光速 度的波动而造成之讯号波动周期的波动之检测开 始判断装置; 用以在一从藉由起始变化消除装置使条件失能之 抛光端点检测,到藉由该检测开始判断装置致能抛 光端点检测操作的期间,检测该第一平均资料和该 第二平均资料的最大値和平均値其中之一,以输出 当作第一参考光量値和第二参考光量値之第一参 考光量检测装置和第二参考光量检测装置; 用以输出藉由该第一参考光量値乘上预定値所推 算之値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临 限値的第一临限値计算装置; 藉由连接许多再追溯过去资料和在该第一平均资 料和该第二平均资料之中的现在时间之値的平均 値,和许多再追溯过去光量差资料的平均値,计算 平均梯度,用以输出当作第二平均梯度资料和第三 平均梯度资料之第二平均梯度计算装置和第三平 均梯度计算装置; 检测正値之第该二平均梯度资料和该第三平均梯 度资料的第一光量增加检测装置和第二光量增加 检测装置; 用以输出藉由输出自该第二参考光量检测装置之 该第二参考光量资料乘上预定値所推算之値,当作 检测在该第二检验光这一边之抛光端点的第二端 点判断临限値之第二临限値计算装置;及 用以在该第一光量增加检测装置和该第二光量增 加检测装置检测正値的该第二平均梯度资料和该 第三平均梯度资料之后,比较该第二和第三平均梯 度资料和端点判断临限値,而当该第二平均梯度资 料和该第三平均梯度资料之値,预定连续几次或更 多次大于或等于端点判断临限値时,当该第二平均 梯度资料和该第三平均梯度资料之値,在该平均梯 度资料之绝对値变成大于或等于给定値之后,大于 或等于端点判断临限値之总次数大于或等于给定 次数时,或当该第二平均梯度资料和该第三平均梯 度资料变成大于或等于端点判断临限値的比率,大 于或等于预定比率时,作出抛光结束的判断之第二 抛光端点检测装置和第三抛光端点检测装置。7. 如申请专利范围第6项之半导体晶圆抛光端点检测 系统,其中该第二抛光端点检测装置和该第三抛光 端点检测装置,在该第二平均梯度资料和该第三平 均梯度资料之检测値变成正値之后,比较该第二平 均梯度资料和该第三平均梯度资料之値和该端点 判断临限値,而当该第二平均梯度资料和该第三平 均梯度资料之値,预定连续几次或更多次小于或等 于端点判断临限値时,当该第二平均梯度资料和第 三平均梯度资料之値,在该平均梯度资料之绝对値 变成大于或等于预定値之后,小于或等于该端点判 断临限値之总次数大于或等于给定次数时,或当该 第二平均梯度资料和该第三平均梯度资料变成小 于或等于该端点判断临限値的比率,大于或等于预 定比率时,作出抛光结束的判断。8.如申请专利范 围第6项之半导体晶圆抛光端点检测系统,其中至 少可以使用三个具有相互不同波长之检验光,用以 平行检测抛光端点。9.如申请专利范围第6项之半 导体晶圆抛光端点检测系统,其中该检验光只有一 个,以单独实行抛光端点检测。10.一种半导体晶圆 抛光端点检测系统,包含 具有许多分别具有不同波长和一个或更多个光接 收部分之多波长量测装置,其将许多具有不同波长 的光照射在和第六检验光相同之光轴上,接收来自 晶圆之第六规则反射光当作反射光,以量测每个波 长的光接收量,用以输出许多接收光量讯号; 导引发射自多波长量测装置,包含许多波长之第六 检验光,然后以预定値和预定角度照射到晶圆之第 六放射装置; 将反射自晶圆之第六规则反射光导引到多波长量 测装置之第六光接收装置; 用以接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后 每一个晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以离散 方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号,最后 输出第一平均资料和第二平均资料之第一平均装 置和第二平均装置; 用以从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端 点检测操作失能,以防止因在开始抛光之后之立刻 抛光的抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之 前,和在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯 号变化之起始变化消除装置; 用以使抛光端点检测操作失能,直到该第一平均资 料或该第二平均资料变成预定値或预定値的倍数, 使适合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动而造 成之讯号波动周期的波动之检测开始判断装置; 用以在一从藉由起始变化消除装置使条件失能之 抛光端点检测,到藉由该检测开始判断装置致能抛 光端点检测操作的期间,检测该第一平均资料和该 第二平均资料的最大値和平均値其中之一,以输出 当作第一参考光量値和第二参考光量値之第一参 考光量检测装置和第二参考光量检测装置; 用以计算该第一参考光量値和该第二参考光量値 的比率,然后将该第二平均资料乘以该第一参考光 量値和第二参考光量値的该比率,最后输出校正光 量资料之光量校正装置; 用以计算该第一平均资料和该校正光量资料之差, 然后输出当作光量差资料之光量差计算装置。 用以输出藉由该第一参考光量値乘以预定値所推 算之値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临 限値的第一临限値计算装置; 用以计算许多再追溯过去资料和在现在量测时间 之该光量差资料的资料之平均値,和许多该光量差 资料之过去资料的平均値、其平均梯度之第一平 均梯度计算装置;及 用以比较该第一平均梯度资料和该第一端点判断 临限値之値,而当该第一平均梯度资料之値预定连 续几次大于或等于该第一端点判断临限値时,当该 第一平均梯度资料之値,在该第一平均梯度资料之 绝对値变成大于或等于给定値之后,大于或等于该 第一端点判断临限値之次数大于或等于给定的总 次数时,或当该第一平均梯度资料之値变成大于或 等于该第一端点判断临限値的比率,大于或等于预 定比率时,作出晶圆抛光结束的判断之第一抛光端 点检测装置。11.如申请专利范围第10项之半导体 晶圆抛光端点检测系统,其中该第六放射装置,该 第六光接收装置和该多波长量测装置系整合在单 一单元之中。12.如申请专利范围第10项之半导体 晶圆抛光端点检测系统,其中该第六放射装置和该 第六光接收装置系整合在单一单元之中。13.如申 请专利范围第10项之半导体晶圆抛光端点检测系 统,其中还包含提供在该晶圆之上表面边缘之上, 且以预定压力和预定流率喷吹,以移除抛光液之空 气喷嘴。14.一种半导体晶圆抛光端点检测方法,包 含下列步骤: 发射具有预定波长之第一检验光; 将该第一检验光以预定直径和预定角度照射在该 晶圆上; 发射波长不同于该第一检验光之第二检验光; 以预定角度,将和该第一检验光相同直径之该第二 检验光,照射在相同照射位置上; 接收该第一检验光的该规则反射光,然后输出第一 光量讯号; 接收该第二检验光的该规则反射光,然后输出第二 光量讯号; 接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后每一 个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以离散 方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号,最后 输出第二平均资料和第二平均资料; 从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端点检 测操作失能,防止因在开始抛光之后之立即抛光的 抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之前,和 在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯号变化 ; 使抛光端点检测操作失能,直到该第一平均资料或 该第二平均资料变成预定値或预定値的倍数,使适 合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动而造成之 讯号波动周期的波动; 在一从藉由该起始变化消除步骤条件失能之抛光 端点检测,到藉由该检测开始判断步骤致能抛光端 点检测操作的周期期间,检测该第一平均资料和该 第二平均资料的最大値和平均値其中之一,然后输 出当作第一参考光量値和第二参考光量値; 计算该第一参考光量値和该第二参考光量値的比 率,然后将该第二平均资料乘以该第一参考光量値 和该第二参考光量値的该比率,最后输出校正光量 资料; 计算该第一平均资料和该校正光量资料之差,然后 输出当作光最差资料; 输出藉由该第一参考光量値乘上预定値所推算之 値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临限値 ; 计算许多再追溯过去资料和在现在量测时间之该 光量差资料的资料之平均値,和许多该光量差资料 之过去资料的平均値之间之平均梯度;及 比较该第一平均梯度资料之値和该第一端点判断 临限値,而当该第一平均梯度资料之値预定连续几 次大于或等于该第一端点判断临限値时,当该第一 平均梯度资料之値,在该第一平均梯度资料之绝对 値变成大于或等于给定値之后,大于或等于该第一 端点判断临限値之总次数大于或等于给定的次数 时,或当该第一平均梯度资料之値变成大于或等于 该第一端点判断临限値的比率,大于或等于预定比 率时,作出晶圆抛光结束的判断。15.如申请专利范 围第14项之半导体晶圆抛光端点检测方法,其步骤 还包含:接收输出自该光量校正装置之该校正光量 资料,检测在该第一平均资料以预定量从最大値减 少之时的该第一平均资料之値,和在该第一平均资 料以预定量从最大値减少,而变成最小値之前和之 后的该校正光量讯号之値之间不同的该时间,用以 推算两个当作补偿周期之时间的时间差,然后对于 推算的补偿周期,位移该校正光量之时间轴,用以 计算光量差资料之步骤,输出第二校正光量资料。 16.一种半导体晶圆抛光端点检测方法,其步骤包含 : 发射具有预定波长之第一检验光; 将该第一检验光以预定直径和预定角度照射在该 晶圆上; 发射波长不同于该第一检验光之第二检验光; 以预定角度,将直径和该第一检验光相同之该第二 检验光,照射在相同照射位置上; 接收该第一检验光的该规则反射光,然后输出第一 光量讯号; 接收该第二检验光的该规则反射光,然后输出第二 光量讯号; 接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后每一 个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以离散 方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号,最后 输出第一平均资料和第二平均资料; 从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端点检 测操作失能,防止因在开始抛光之后之立即抛光的 抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之前,和 在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯号变化 ; 使抛光端点检测操作失能,直到该第一平均资料或 该第二平均资料变成预定値或预定値的倍数,使适 合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动而造成之 讯号波动周期的波动; 在一从藉由该起始变化消除装置使条件失能之抛 光端点检测,到藉由该检测开始判断步骤致能抛光 端点检测操作的周期期间,检测该第一平均资料和 该第二平均资料的最大値和平均値其中之一,然后 输出当作第一参考光量値和第二参考光量値; 计算该第一平均资料和该第二平均资料之比率,然 后输出光量比率资料; 计算许多再追溯过去资料和在现在量测时间之该 光量比率资料的资料之平均値,和许多该光量差资 料之过去资料的平均値之间之平均梯度; 计算该第一参考光量値和该第二参考光量値的比 率,然后将该第二平均资料乘以该第一参考光量値 和该第二参考光量値的比率,最后输出校正光量资 料; 输出藉由该第一参考光量値乘上预定値所推算之 値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临限値 ;及 比较该第一平均梯度资料之値和该第一端点判断 临限値,而当该第一平均梯度资料之値预定连续几 次大于或等于第一端点判断临限値时,当该第一平 均梯度资料之値,在该第一平均梯度资料之绝对値 变成大于或等于给定値之后,大于或于该第一端点 判断临限値之总次数大于或等于给定的次数时,或 当该第一平均梯度资料之値变成大于或等于第一 端点判断临限値的比率,大于或等于预定比率时, 作出晶圆抛光结束的判断。17.如申请专利范围第 16项之半导体晶圆抛光端点检测方法,其中至少使 用三个检验光当作该检验光,各自由两个检验光组 成之相互不同的组合系平行使用,用以检测抛光端 点。18.如申请专利范围第16项之半导体晶圆抛光 端点检测方法,其中在该检测抛光端点之步骤中, 将该第一平均梯度资料之値与该第一端点判断临 限値之値作比较,而当该第一平均梯度资料之値预 定连续几次小于或等于该第一端点判断临限値时, 当该第一平均梯度资料之値,在该第一平均梯度资 料之绝对値变成大于或等于给定値之后,小于或等 于该第一端点判断临限値之总次数大于或等于给 定的次数时,或当该第一平均梯度资料之値变成小 于或等于该第一端点判断临限値的比率,大于或等 于预定比率时,作出抛光结束的判断。19.一种半导 体晶圆抛光端点的检测方法,其步骤包含: 发射具有预定波长之第一检验光; 将该第一检验光以预定直径和预定角度照射在该 晶圆上; 发射波长不同于该第一检验光之第二检验光; 以预定角度,将直径和该第一检验光相同之该第二 检验光,照射在相同的照射位置上; 接收该第一检验光的该规则反射光,然后输出第一 光量讯号; 接收该第二检验光的该规则反射光,然后输出第二 光量讯号; 接收该第一光量讯号和该第二光量讯号,然后每一 个与该晶圆旋转周期的整数倍同步之周期,以离散 方式平均该第一光量讯号和该第二光量讯号,最后 输出第一平均资料和第二平均资料; 从抛光开始,在经过预定周期之后,使抛光端点检 测操作失能,防止因在开始抛光之后之立即抛光的 抛光不稳定性之起始阶段,在使抛光稳定之前,和 在抛光之前之起始条件的不同,而检测到讯号变化 ; 使抛光端点检测操作失能,直到该第一平均资料或 该第二平均资料变成预定値或预定値的倍数,使适 合在抛光的起始阶段,因抛光速度的波动而造成之 讯号波动周期的波动; 在一从藉由该起始变化消除装置使条件失能之抛 光端点检测,到藉由该检测开始判断步骤致能抛光 端点检测操作的周期期间,检测该第一平均资料和 该第二平均资料的最大値和平均値其中之一,然后 输出当作第一参考光量値和第二参考光量値; 输出藉由该第一参考光量値乘上预定値所推算之 値,当作用以检测抛光端点之第一端点判断临限値 ; 藉由连接许多再追溯过去资料和在该第一平均资 料和该第二平均资料之中的现在时间之値的平均 値,和许多再追溯过去光量差资料的平均値,计算 平均梯度,用以输出当作第二平均梯度资料和第三 平均梯度资料; 检测正値的第二平均梯度资料和第三平均梯度资 料, 输出藉由该第一参考光量乘上预定値所推算之値, 当作用以检测抛光端点之第一端点判断临限値; 在第二平均梯度资料和第三平均梯度资料变成正 値之后,将第二平均梯度资料和第三平均梯度资料 之値和端点判断临限値比较,而当第二平均梯度资 料和第三平均梯度资料之値,预定连续几次或更多 次大于或等于端点判断临限値时,当第二平均梯度 资料和第三平均梯度资料之値,在该平均梯度资料 之绝对値变成大于或等给定値之后,大于或等于端 点判断临限値之总次数大于或等于预定次数时,或 当第二平均梯度资料和第三平均梯度资料变成大 于或等于端点判断临限値的比率,大于或等于预定 比率时,作出抛光结束的判断。20.如申请专利范围 第19项之半导体晶圆抛光端点检测方法,其中在该 检测抛光端点之步骤中,在该第二平均梯度资料和 该第三平均梯度资料变成正値之后,将该第二平均 梯度资料和该第三平均梯度资料之値和该端点判 断临限値比较,而当该第二平均梯度资料和该第三 平均梯度资料之値,预定连续几次或更多次小于或 等于端点判断临限値时,皆该第二平均梯度资料和 该第三平均梯度资料之値,在该平均梯度资料之绝 对値变成大于或等于给定値之后,变成小于或等于 该端点判断临限値之总次数大于或等于预定次数 时,或当该第二平均梯度资料和该第三平均梯度资 料变成小于或等于端点判断临限値的比率,大于或 等于预定比率时,作出抛光结束的判断。21.如申请 专利范围第19项之半导体晶圆抛光端点检测方法, 其中至少可以使用三个具有相互不同波长的检验 光,用以平行检测抛光端点。22.如申请专利范围第 19项之半导体晶圆抛光端点检测方法,其中该检验 光只有一个,以单独实行抛光端点检测。23.如申请 专利范围第19项之半导体晶圆抛光端点检测方法, 其中还包含以预定压力和预定流率喷吹空气,以移 除抛光液。图式简单说明: 第1图为根据本发明之半导体晶圆抛光端点检测系 统的第一实施例之方块图; 第2图为本发明所应用之半导体晶圆结构图; 第3图为第一和第二平均资料之抛光周期和变化图 ; 第4图为第3图之平均资料,在校正后之第一和第二 资料的变化图; 第5图为根据本发明之半导体晶圆抛光端点检测系 统的第二实施例之方块图; 第6图为根据本发明之半导体晶圆抛光端点检测系 统的第三实施例之方块图; 第7图为根据本发明之半导体晶圆抛光端点检测系 统的第四实施例之方块图; 第8图为根据第7图之实施例的抛光进展,第一平均 资料,第二平均资料,和光量比率资料之一变化的 实例; 第9图为根据本发明之半导体晶圆抛光端点检测系 统的第五实施例之方块图;及 第10图为习知技术之说明图。 |
