DEVICE FOR STRESSING AN INTEGRATED FERROELECTRIC SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT

摘要

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Stressen einer integrierten ferroelektrischen Halbleiterspeicherschaltung. Durch die Integration einer Stresstestschaltung (10) in den den ferroelektrischen Halbleiterspeicher enthaltenden Chip (1) hinein, übernimmt diese integrierte Testschaltung (10) die Aufgabe eines herkömmlichen externen Testautomaten beim Stressen des ferroelektrischen Speichers zum Test von "Fatigue" und Imprint. Dadurch kann Testzeit von externen Testautomaten zur internen Schaltung hin verlagert und durch Beschleunigung des Stresstests Stresszeit eingespart werden.