| 摘要 |
<p>L'invention concerne un élément laser à semiconducteur présentant un premier système de couches de semiconducteurs qui est obtenu par croissance épitaxiale sur un substrat et qui comprend un premier matériau comportant une constante de réseau différente de celle du substrat. Une couche de quantification présentant une constante de réseau supérieure à celle du premier matériau semiconducteur est obtenue par croissance épitaxiale sur le premier matériau semiconducteur de sorte qu'un effet de quantification, qui empêche ou inhibe fortement la diffusion des porteurs de charge, soit produit dans la couche de quantification. Un deuxième système de couches de semiconducteurs est obtenu par croissance épitaxiale sur la couche de quantification.</p> |
