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Es wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung bereitgestellt, die in der Lage sind, einen Phasenverschiebungsmaskenrohling herzustellen, bei dem die Gesamtanzahl an Partikeln und Pin-holes mit einem Durchmesser, der größer als etwa die Hälfte einer Bestrahlungswellenlänge in einem Licht-Halbdurchlässigkeitsfilm ist, 0,1 oder weniger pro cm·2· beträgt. In einer Gleichstrom-Magnetron-Sputter-Vorrichtung zur Herstellung eines Raster-Phasenverschiebungsmaskenrohlings wird zum Beispiel eine Targetebene in Bezug auf eine Schwerpunktrichtung abwärts angeordnet, wird eine Whole-Surface-Erosions-Kathode verwendet, werden ein Eckenabschnitt 5a eines Targetendes und ein Eckenabschnitt einer Erdabschirmung abgefast (R bearbeitet), werden ein Targetende 5b, eine ausgesetzte Spannplattenoberfläche 4b und die Oberfläche einer Erdabschirmung 12 aufgerauht und wird die Erdabschirmung 12 auf einer Targetebene d (auf der Spannplattenseite) angeordnet. |
