| 发明名称 | 在氧化生长侧壁衬层之前淀积沟槽填充氧化物的改进的沟槽隔离工艺 | ||
| 摘要 | 本发明一般涉及到制造半导体器件、晶片等用的沟槽隔离方法。更确切地讲,本发明涉及到用TEOS和臭氧的化学汽相淀积(CVD)法,在沟槽侧壁上生长热氧化层或衬层之前,淀积沟槽填充氧化物的方法。此方法在非垂直、垂直和/或凹腔剖面的间隙或沟槽中提供了无孔淀积的介电CVD膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1351762A | 申请公布日期 | 2002.05.29 |
| 申请号 | CN00807742.8 | 申请日期 | 2000.03.31 |
| 申请人 | 硅谷集团热系统责任有限公司 | 发明人 | 托德·O·科蒂斯;维沃克·拉奥;卡里姆·卡普金 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种沟槽隔离方法，其特征在于：用含硅气体与臭氧的化学汽相淀积(CVD)在包括具有侧壁的沟槽的衬底上淀积沟槽填充氧化层，这样的沟槽填充氧化层是在沟槽侧壁上生长热氧化物前淀积的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||