发明名称 Phasenverschiebungsmaskenvorform, Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Ein erfindungsgemäßes Ziel ist die Bereitstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaskenvorform und einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske, deren transluzenter Film eine verbesserte Säurebeständigkeit, Alkalibeständigkeit und Beständigkeit gegenüber Excimer-Laserbestrahlung aufweist, wobei die innere Spannung des Filmes innerhalb eines annehmbaren Bereiches für die beabsichtigte Verwendung bleibt. DOLLAR A Um das zuvor erwähnte Ziel zu erreichen, stellt die Erfindung eine Halbton-Phasenverschiebungsmaskenvorform bereit, die ein transparentes Substrat mit einem hierauf bereitgestellten transluzenten Film, umfassend mindestens eine dünne Schicht, enthaltend Silicium und mindestens einen Vertreter von Stickstoff und Sauerstoff, umfaßt und die mit Licht zu bestrahlen ist, dessen mittlere Wellenlänge 248 nm oder kürzer beträgt, wobei der transluzente Film so dicht ist, daß er eine mittlere Oberflächenrauhigkeit (Ra) von 0,3 nm oder weniger aufweist.
申请公布号 DE10144893(A1) 申请公布日期 2002.05.29
申请号 DE2001144893 申请日期 2001.09.12
申请人 HOYA CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 NOZAWA, OSAMU;MITSUI, HIDEAKI
分类号 G03F1/00;G03F1/06;G03F1/08;G03F1/32;G03F1/68;H01L21/027;(IPC1-7):G03F1/14 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
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