| 摘要 |
<p>Eine Halbleitereinrichtung (2) wird auf einer beheizbaren Halterung (6) montiert, und die Temperatur der Halbleitereinrichtung (2) wird auf mindestens 60 DEG C und niedriger als der Schmelzpunkt des Lots gesetzt. Unter Nutzung eines Ausstoßkopfes (4) wird das geschmolzene Lot (3a) von einer Düse auf eine Elektrodenteil (1) ausgestoßen. Das geschmolzene Lot (3a), das vom Ausstoßkopf (4) ausgestoßen wurde, trifft auf die Oberfläche des Elektrodenteils (1) auf. Beim Auftreffen verteilt sich das geschmolzene Lot (3a) über die Oberfläche des Elektrodenteils (1) durch Benetzung, wobei es eine Bump-Elektrode (3) auf dem Elektrodenteil (1) bildet. Dies sichert eine Festigkeit der Verbindung zwischen der Bump-Elektrode und dem darunter liegenden leitfähigen Bereich.</p> |
