半导体存储器

摘要

不改变间歇时间特性来降低刷新时的功耗。内部行地址信号(刷新地址信号)由刷新动作计数器17产生,并输入至行译码器12。在通常刷新动作的情况下,由于刷新地址计数器17根据触发信号按照顺序使内部行地址信号增1,故所有的存储单元的数据被刷新。在本发明的低消耗电流刷新动作的情况下,由于构成内部地址信号的多个位之内的至少1位的值被固定,故刷新动作得以仅仅对于那些预先确定的刷新区域内的存储单元进行。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征是具备：存储单元阵列；在进行刷新动作时，产生对上述存储单元阵列的行进行选择的内部地址信号的信号产生电路；在进行上述刷新动作时，用来根据第1控制信号，固定构成上述内部地址信号的多位之内的至少一位的值，选择具有比上述存储单元阵列的存储容量还小的存储容量的刷新区域内的行的控制电路。