| 摘要 |
<p>In einem Verdrahtungssubstrat (A) ist eine Hochfrequenzkomponente (4) an einem dielektrischen Substrat (1) gelagert, an dessen Oberfläche eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet ist, wobei eine rückseitige Oberfläche des dielektrischen Substrats (1) mit einer Öffnung (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, und wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9) um die Öffnung (8) herum ausgebildet ist. In einer Verdrahtungsplatte (B) durchdringt eine Hohlleiterstruktur (22) eine dielektrische Platte (21) und ist an ihrer Innenwand mit einem Leiter beschichtet, wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23) an einer Oberfläche der dielektrischen Platte (21) ausgebildet ist. Das Verbindungssubstrat (A) ist an der Verdrahtungsplatte (B) angeordnet und die jeweiligen Hochfrequenz-Verbindungspads (9, 23) sind elektrisch miteinander verbunden, um so ein Modul herzustellen. DOLLAR A Selbst wenn für die Verdrahtungsplatte (B) ein kostengünstiges Material mit einem großen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird, kann verhindert werden, daß ein Hochfrequenzsignal gedämpft wird (Fig. 3).</p> |
