| 发明名称 | 高质量单晶的制成方法及其装置 | ||
| 摘要 | 在使籽晶(4)与坩埚(1)内加热熔解的原料溶液(2)相接触生长成单晶的方法中,采用在坩埚(1)内的原料溶液(2)中配置叶片体(5)或挡板体,边使坩埚(1)旋转边提升制成的方法,作为高质量、高性能的结晶,由高粘性的原料溶液(2)制成以CLBO为主的各种单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1351679A | 申请公布日期 | 2002.05.29 |
| 申请号 | CN00807930.7 | 申请日期 | 2000.05.22 |
| 申请人 | 科学技术振兴事业团 | 发明人 | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B17/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王杰 |
| 主权项 | 1.一种高质量单晶的制成方法，其特征是，在籽晶与坩埚内加热熔解的原料溶液接触生长成单晶的方法中，在坩埚内的原料溶液中配置叶片体或档板体，该叶片体或档板体不旋转而使坩埚边旋转边制成。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||