发明名称 Power Semiconductor Module and application of such a Power Semiconductor Module
摘要 <p>Ein Hochleistungshalbleitermodul (10) umfasst mehrere flächige Halbleiterchips (14), die mit der Unterseite unter Herstellung erster elektrischer Kontakte flächig auf einer Bodenplatte (11) aufliegen und auf der Oberseite von einer parallel zur Bodenplatte (11) angeordneten Deckplatte (13) unter Herstellung zweiter elektrischer Kontakte mit Druck beaufschlagt werden. Bei einem solchen Modul wird eine vereinfachte Kühlung dadurch ermöglicht, dass die den Halbleiterchips (14) abgewandten Seiten bzw. Aussenseiten der Bodenplatte (11) und der Deckplatte (13) jeweils von den Halbleiterchips (14) elektrisch isoliert ausgebildet sind. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1209742(A1) 申请公布日期 2002.05.29
申请号 EP20000811110 申请日期 2000.11.22
申请人 ABB SCHWEIZ AG 发明人 LANG, THOMAS
分类号 H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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