半导体集成电路装置及其制造方法

摘要

在P型半导体基板上集成有双极晶体管和CMOS晶体管。双极晶体管具有基极引出电极侧面部分的氧化膜、基极引出电极侧面的硅氮化膜和基极引出电极侧面的多晶硅膜。CMOS晶体管具有栅极电极侧面部分的氧化膜、栅极电极侧面的硅氮化膜和栅极电极的绝缘侧壁。基极引出电极侧面的硅氮化膜与栅极电极侧面的硅氮化膜用同一工序形成。#!

主权项

1.一种半导体集成电路装置，包括形成于同一半导体基板上的双极晶体管和MOS晶体管，其中上述双极晶体管包括：被连接到把基极层围在里边的外部基极层上的、上表面上具有第1绝缘膜，在侧面上具有第1侧壁的基极引出电极和由上述第1侧壁自对准式地形成的发射极层及发射极引出电极，上述MOS晶体管包括：在上表面上具有第2绝缘膜，同时在侧面上具有第2侧壁的栅极电极和由上述第2侧壁自对准式地形成的源-漏层，其中，上述第1侧壁由基极引出电极一侧的第3绝缘膜和非基极引出电极一侧的导体膜构成，上述第2侧壁由与上述第3绝缘膜用同一步骤形成的第4绝缘膜和在所述第4绝缘膜上覆盖的第5绝缘膜构成。