发明名称 DRAM-Zelle mit Grabenkondensator und vergrabenen Seitenkontakten
摘要
申请公布号 DE69033841(T2) 申请公布日期 2002.05.29
申请号 DE19906033841T 申请日期 1990.07.18
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS 发明人 SHEN, BING-WHEY;YASHIRO, MASAAKI;MCKEE, RANDY;CHUNG, GISHI;SHIRAI, KIYOSHI;TENG, CLARENCE;COLEMAN, JR.
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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