| 摘要 |
<p>본 발명은 고집적 반도체 소자에서 요구되는 25fF/cell 이상의 충전 용량을 충분히 확보할 수 있으면서 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관하여 기술된다. 본 발명은 하부 전극을 형성한 후에 질화처리하고, 유기 금속 화합물인 Ta(OCH)전구체를 사용하여 화학기상증착(CVD)법으로 비정질 TaON 박막을 증착한 후, 저온 열처리 및 고온 열처리하여 결정질 TaON 박막을 형성하고, TaON 박막상에 상부 전극을 형성하여 캐패시터를 제조한다. TaON 박막은 유전 상수 값이 23 내지 25로 유전 상수 값이 25 내지 27인 TaO박막보다 낮지만 화학적 결합 구조가 TaO박막보다 안정된 Ta-O-N 결합 구조를 갖고있을 뿐만 아니라 누설 전류 발생 수준이 낮은 특성을 갖고 있다. 본 발명은 이러한 특성을 갖는 TaON 박막을 유전체막으로 사용하므로 우수한 전기적 특성을 갖는 캐패시터를 제조할 수 있다.</p> |
