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<p>전자를 안정되게 고효율로 방출할 수 있는 저가의 전계 방사형 전자원(電子源) 및 그 제조 방법을 제공한다. n형 실리콘 기판(1, 101)의 주 표면측에 강전계 드리프트(drift)부 (6, 106)가 형성되고, 강전계 드리프트부(6, 106)상에 금박막으로 이루어진 표면 전극(7, 107)이 형성된다. 또, n형 실리콘 기판(1, 101)의 뒷면에는 오믹(ohmic)전극(2, 102)이 형성된다. 이 전계 방사형 전자원(11, 110)에서는 표면 전극 (7, 107)을 진공중에 배치하고, 표면 전극(7,107)을 오믹 전극(2, 102)에 대해 양극(+)으로 하여 직류 전압을 인가함으로써, n형 실리콘 기판(1, 101)에서 주입된 전자가 강전계 드리프트부(6, 106)를 드리프트하여 표면 전극(7, 107)을 통해 방출된다. 강전계 드리프트부(106)는, 도전성 기판인 n형 실리콘 기판(101)의 두께 방향으로 직교하는 단면이 망목상(網目狀)으로 형성되어 상기 전자가 드리프트되는 드리프트부(161)와, 망목 내에 채워지며 드리프트부(161)보다도 열전도성이 좋은 방열부(162)로 이루어진다.</p> |
