| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부의 소정 영역에 스페이서가 형성된 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 불순물 이온 주입 공정을 실시하여 상기 반도체 기판상에 접합 영역을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제 1 절연막을 형성한 후 게이트 패턴 상부가 노출될 때까지 연마하여 평탄화시키는 단계와, 상기 게이트 패턴을 제거하여 반도체 기판을 노출시킨 후 노출된 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연막의 소정 영역을 식각하여 상기 접합 영역을 노출시키는 콘택 홀을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 장벽 금속층 및 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 콘택 홀 및 게이트가 형성될 부분이 매립되도록 전체 구조 상부에 전도층을 형성한 후 연마하여 게이트 전극 및 비트라인과 전하저장전극 플러그를 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
